層疊式半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)開發(fā).pdf

1、論文介紹了層疊式半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)的開發(fā)及研制，展示了半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展，它已經(jīng)由最早的電子管封裝發(fā)展到具有多種半導(dǎo)體封裝技術(shù)的大型工業(yè)。伴隨著人們對電子產(chǎn)品應(yīng)用的不斷需求，封裝形式向著層疊式的方向發(fā)展。為了實現(xiàn)層疊式封裝的技術(shù)，論文在層疊式封裝結(jié)構(gòu)，電氣性能特性和界面應(yīng)力特性，工藝的開發(fā)以及能適應(yīng)層疊式技術(shù)的材料選擇等幾方面作了綜合論述。并通過分析，建模和試制完成了對此項技術(shù)的論證和開發(fā)。 該技術(shù)是基于真實產(chǎn)品需求而引出的新

2、技術(shù)開發(fā)和應(yīng)用。論文從原理介紹、結(jié)構(gòu)分析、到各項性能的評估等方面詳盡的做了理論認識和如何技術(shù)實現(xiàn)等方面的工作。本論文尤其結(jié)合了多項學(xué)科的知識，諸如，電子學(xué)、力學(xué)、材料學(xué)和機械等各個學(xué)科，進行了較深入的研究和探討。 首先，該技術(shù)采用了多層芯片的層疊形式，所以就此封裝技術(shù)應(yīng)達到的技術(shù)指標(biāo)；結(jié)構(gòu)類型；尺寸要求，它的材料屬性及相關(guān)的材料選擇和該項技術(shù)需要實現(xiàn)的質(zhì)量，可靠性和成品率設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn)。 其次，論文就新型層疊封裝的電器性能和