引線框架合金表面電鍍錫工藝及錫須生長(zhǎng)機(jī)理研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文主要采用電鍍方法在C194合金和FeNi42引線框架合金基體上沉積了光亮錫和亞光錫鍍層，并且采用電鍍平鎳和鎳納米針薄膜兩種鎳鍍層作為錫鍍層和基體之間的阻擋層的方法來(lái)抑制錫須生長(zhǎng)。對(duì)不同鍍層樣品在濕熱環(huán)境下的錫須生長(zhǎng)情況和錫須生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明亞光鍍錫電流密度可控制在10A/dm2，光亮鍍錫的電流密度可控制在1A/dm2。C194合金作為基體的錫鍍層表面生長(zhǎng)的錫須數(shù)量少，直徑和長(zhǎng)度較大，F(xiàn)eNi42合金生

2、長(zhǎng)的錫須數(shù)量多，長(zhǎng)度和直徑較?。还饬铃a鍍層比亞光錫鍍層更易生長(zhǎng)錫須；對(duì)于亞光錫鍍層，鍍層越厚越不容易生長(zhǎng)錫須，而光亮錫鍍層厚度對(duì)錫須生長(zhǎng)影響不大；退火熱處理可使錫須數(shù)量減少；鍍層表面機(jī)械損傷或表面腐蝕區(qū)會(huì)誘導(dǎo)錫須生長(zhǎng)。兩種鎳阻擋層對(duì)于錫須生長(zhǎng)起到了有效的抑制作用，濕熱環(huán)境下經(jīng)過(guò)8000 h測(cè)試未觀察到錫須。
　　本文從金屬間化合物、鍍錫層種類、鍍層厚度、退火等方面研究了錫須生長(zhǎng)機(jī)理，認(rèn)為錫須生長(zhǎng)的機(jī)理是：錫原子會(huì)沿著化學(xué)勢(shì)降低的方

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