引線框架合金表面電鍍錫工藝及錫須生長機理研究.pdf

1、本文主要采用電鍍方法在C194合金和FeNi42引線框架合金基體上沉積了光亮錫和亞光錫鍍層，并且采用電鍍平鎳和鎳納米針薄膜兩種鎳鍍層作為錫鍍層和基體之間的阻擋層的方法來抑制錫須生長。對不同鍍層樣品在濕熱環(huán)境下的錫須生長情況和錫須生長機理進行了系統(tǒng)研究。
　　實驗結(jié)果表明亞光鍍錫電流密度可控制在10A/dm2，光亮鍍錫的電流密度可控制在1A/dm2。C194合金作為基體的錫鍍層表面生長的錫須數(shù)量少，直徑和長度較大，F(xiàn)eNi42合金生

2、長的錫須數(shù)量多，長度和直徑較?。还饬铃a鍍層比亞光錫鍍層更易生長錫須；對于亞光錫鍍層，鍍層越厚越不容易生長錫須，而光亮錫鍍層厚度對錫須生長影響不大；退火熱處理可使錫須數(shù)量減少；鍍層表面機械損傷或表面腐蝕區(qū)會誘導(dǎo)錫須生長。兩種鎳阻擋層對于錫須生長起到了有效的抑制作用，濕熱環(huán)境下經(jīng)過8000 h測試未觀察到錫須。
　　本文從金屬間化合物、鍍錫層種類、鍍層厚度、退火等方面研究了錫須生長機理，認為錫須生長的機理是：錫原子會沿著化學(xué)勢降低的方