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文檔簡介
1、隨著微電子/光電子器件的加工工藝和需求進(jìn)一步朝著深亞微米和納米尺度發(fā)展，特征尺寸進(jìn)一步縮小，尺度效應(yīng)更加明顯，100納米以下的結(jié)構(gòu)(點、孔、線、槽、柱、條塊)的制作成為了工藝的主要瓶頸，導(dǎo)致器件成本大幅上升。為此，本文提出將原子力顯微鏡探針加工技術(shù)和干法刻蝕技術(shù)結(jié)合起來，研究制備高深寬比微納溝槽結(jié)構(gòu)的加工工藝，主要內(nèi)容包括：
首先，利用原子力顯微鏡探針加工抗刻蝕掩膜。基底材料分別選擇了砷化鎵和硅片。以砷化鎵為基底的掩膜材料
2、選擇濺射的鋁膜，以硅為基底的掩膜材料選擇AZ1500型光刻膠、銅和鋁等。AFM探針主要分為硅探針和金剛石探針兩種。設(shè)定的加工深度受到AFM的PZT限制，范圍從0到1.3微米。設(shè)定溝槽間距從300到800納米。由于基于AFM探針的加工技術(shù)是接觸式，同時探針的懸臂梁結(jié)構(gòu)容易彎曲，所以實際尺寸與設(shè)定尺寸有一定的差距。但是這種加工誤差對于光柵溝槽結(jié)構(gòu)的影響不大。
其次，使用干法刻蝕技術(shù)進(jìn)行深刻蝕。本文利用的干法刻蝕技術(shù)分為Ga基Ⅲ
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