UHVCVD外延生長——薄硅及鍺硅單晶薄膜.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文利用超高真空化學(xué)氣相沉積(UHV／CVD)技術(shù)，在低溫生長環(huán)境(500-660℃)對薄硅外延及鍺硅外延工藝進(jìn)行了摸索。主要包括鍺硅單層和多層結(jié)構(gòu)外延過程生長特性及表征，以及生長機(jī)理的研究。使用實驗室自行研制的UHV／CVD—Ⅱ外延設(shè)備，在低溫下(500-650℃)外延生長了大面積均勻的薄硅單晶外延片，系統(tǒng)研究了UHV／CVD系統(tǒng)硅外延的生長速率曲線；并對外延片在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行了初步探索。成功的在500-660℃范圍內(nèi)生長出高質(zhì)量

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