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1、該論文旨在研究水熱法合成金屬磷屬化合物納米材料,對(duì)其物相、形貌、晶格振動(dòng)、光學(xué)及磁學(xué)性質(zhì)等進(jìn)行表征.利用氨水中單質(zhì)磷的歧化反應(yīng),于140℃得到了30 nm的InP球狀納米晶,通過添加表面活性劑-硬脂酸鉀,改變反應(yīng)條件,得到了8 nm的球狀納米晶和沿垂直于[111]方向拉長(zhǎng)的棒狀納米晶,這與溶液-液-固機(jī)理生長(zhǎng)的[111]取向的Ⅲ-Ⅴ族納米線不同.X-射線光電子能譜顯示,納米晶表面有羧酸根離子吸附,因此認(rèn)為這種棒狀形貌的獲得是表面活性劑選
2、擇吸附(111)等極性晶面而限制其生長(zhǎng)所致.納米晶的Raman光譜顯示了聲子限域效應(yīng)(TO、LO光學(xué)振動(dòng)模不對(duì)稱寬化與頻率靠近).其吸收光譜顯示了帶隙藍(lán)移(吸收邊650 nm),發(fā)光光譜顯示了寬帶紅光發(fā)射(685 nm).水熱生長(zhǎng)機(jī)理研究表明,InP納米晶是由反應(yīng)過程中原位生成的InPx(x=7~8)非晶前驅(qū)物分解而成.類似的,通過元素磷的歧化反應(yīng),水熱制備了Co<,2>P納米晶和Sn<,4>P<,3>納米棒,并研究了Co<,2>P納米
3、晶的Raman光譜,其振動(dòng)峰位較非晶Co-P產(chǎn)物藍(lán)移.利用傳統(tǒng)的Marsh測(cè)( )反應(yīng),在合適的酸性水熱條件下,制得了表面不氧化、不水解的InAs納米晶,其紅外吸收光譜顯示了藍(lán)移,光學(xué)聲子顯示了限域效應(yīng);實(shí)現(xiàn)了Ga與As<,2>O<,3>的水熱氧化還原反應(yīng),制得了35nm的GaAs納米晶.類似的方法獲得了CoAs納米晶和SnAs微晶.研究了Ni-As<,2>O<,3>水熱反應(yīng)體系,在酸性和堿性條件下,分別得到了NiAs和Ni<,11>A
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