四方和六方晶系基本特征平行四邊形表的統(tǒng)一及電子衍射花樣的標(biāo)定分析與改進(jìn).pdf

1、現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，要求材料工作者能夠及時(shí)提供精確的材料信息，而準(zhǔn)確標(biāo)定電子衍射花樣是獲得材料結(jié)構(gòu)信息，研究物質(zhì)的微觀組織，晶體結(jié)構(gòu)和測定固態(tài)試樣微區(qū)化學(xué)成分的重要手段。因此準(zhǔn)確標(biāo)定電子衍射花樣是應(yīng)該掌握的。
　　 本文在前人的基礎(chǔ)上研究了立方晶系，六方晶系，四方晶系，正交晶系，單斜晶系，三斜晶系等電子衍射花樣的標(biāo)定。所做內(nèi)容如下：
　　 首先，闡述了本文意義和必要性。提出了立題依據(jù)。同時(shí)分析了常規(guī)立方，六方，四方，正

2、交，單斜，三斜，高階，孿晶結(jié)構(gòu)電子衍射譜的形成原理和相關(guān)知識(shí)。研究了各種結(jié)構(gòu)的標(biāo)定方法，對(duì)各晶系常規(guī)衍射花樣標(biāo)定方法作了總結(jié)和分析，為電子衍射標(biāo)定打下一個(gè)基礎(chǔ)。
　　 其次，研究了四方、六方晶系四十個(gè)基本膜面基矢轉(zhuǎn)換原理，也研究了四方度對(duì)四方、六方晶系特征平行四邊形表的影響因素和制定平行四邊形表的方法。我們選擇了(c/a)2作為影響參數(shù)和區(qū)間轉(zhuǎn)換點(diǎn)的參數(shù)，同時(shí)最初引入立方系同指數(shù)膜面的基矢作為四方、六方晶系膜面的基矢?分析了四十

3、個(gè)基本膜面的轉(zhuǎn)換區(qū)間,并對(duì)每一個(gè)區(qū)間確定了基矢和倒易矢量及其順序,對(duì)結(jié)果進(jìn)行了驗(yàn)證?
　　 在此基礎(chǔ)上我們歸納了四方、六方晶系四十個(gè)基本膜面特征平四邊形的變化規(guī)律,分析了相同膜面隨c/a的變化的規(guī)律，也探討了立方晶系與四方、六方晶系特征平四邊形表的區(qū)別與聯(lián)系，并畫出四方、六方晶系四十基本膜面在每一個(gè)區(qū)間的圖形，并找出其變化規(guī)律。在對(duì)前人的工作進(jìn)行了大量的補(bǔ)充和校正的基礎(chǔ)上，研究并制定出了所有四方晶系物質(zhì)均遵從的一個(gè)統(tǒng)一平行四邊形

4、表(包括膜面的圖形)?而不必像以前那樣，為了標(biāo)定四方系物質(zhì)材料，去到處尋找具有特定c/a值的平行四邊形表，往往大多時(shí)候卻找不到(可以初步認(rèn)為每種四方系物質(zhì)，均有一個(gè)特定的c/a值,因而表也是特定的)，這是很有意義的工作。同時(shí)可將四方系和六方系四十個(gè)基本膜面的轉(zhuǎn)換區(qū)間分別歸納為二十一個(gè)和十二個(gè)基本區(qū)間,每一個(gè)區(qū)間對(duì)應(yīng)一個(gè)特征平行四邊形表,繪出21個(gè)和12個(gè)這樣的表，在四方、六方晶系的標(biāo)定中也有用途。
　　 再次，通過四方度對(duì)四方和

5、六方晶系特征平行四邊形表的影響分析，提出了對(duì)非立方晶系電子衍射花樣標(biāo)定的Matlab方法。同時(shí)，對(duì)于六方，正方，四方，單斜和三斜單晶電子衍射花樣，我們用Matlab方法編制了其特征平行四邊形表格。
　　 然后，對(duì)于一般工作者來說，由于他們看到的衍射圖片大多在尺寸的大小可能已發(fā)生了改變，比如在已發(fā)表的論文中可能有一些電子衍射花樣，由于各種原因尺寸發(fā)生變化，但其比例是不會(huì)變化的，所以提出了CAD軟件量取尺寸法。
　　 最后本