同質(zhì)復(fù)合柵MOSFET閾值電壓及電阻溫度效應(yīng)的研究.pdf

1、隨著器件尺寸的縮小,寄生電阻對(duì)器件性能的影響不可忽視,為準(zhǔn)確預(yù)測(cè)器件的寄生電阻并了解器件參數(shù)對(duì)寄生電阻的影響,需要有準(zhǔn)確的寄生電阻模型。
　　本文第二章分析了短溝道寄生電阻模型,研究了短溝道寄生電阻模型在柵壓較小時(shí)與模擬結(jié)果存在較大誤差的原因,并對(duì)模型進(jìn)行了改進(jìn)。最后分析了器件參數(shù)對(duì)寄生電阻的影響,提出未來減小寄生電阻需要和可能采取的措施。
　　本文提出了一種新型的同質(zhì)復(fù)合柵MOSFET結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)采用了柵工程的概念,所設(shè)計(jì)的

2、柵由S-gate和D-gate兩塊并列組成,S-gate用高功函數(shù)p+多晶硅,D-gate用低功函數(shù)n+多晶硅。在復(fù)合多晶硅柵的實(shí)現(xiàn)工藝上,本文采用了一種補(bǔ)償注入的方法,只需利用一塊S-gate掩模板就可形成復(fù)合柵電極結(jié)構(gòu),工藝簡(jiǎn)單可行。鑒于同質(zhì)復(fù)合柵MOSFET的電特性很多,本文第三章主要討論其電阻效應(yīng)。方法是通過研究溫度對(duì)LDDMOS電阻中各參數(shù)的影響,確定了受溫度影響較大的參數(shù),建立了模型,并用MEDICI的仿真結(jié)果進(jìn)行比較,驗(yàn)證