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1、本文首先研究了PMOS器件各種靜態(tài)參數(shù)隨時(shí)間應(yīng)力的退化,并得到了器件退化的規(guī)律。討論了NBTI效應(yīng)的產(chǎn)生機(jī)制,發(fā)現(xiàn)是由于Si/SiO2界面處的界面陷阱和正固定氧化層電荷導(dǎo)致了器件特性的退化。 重點(diǎn)研究了PMOS器件NBTI效應(yīng)中的自愈合效應(yīng)。自愈合效應(yīng)是指去掉NBT應(yīng)力后器件的特性參數(shù)會(huì)自行恢復(fù)到一定程度的現(xiàn)象。發(fā)現(xiàn)在最初的恢復(fù)階段器件的特性會(huì)有一個(gè)快速的恢復(fù),隨著恢復(fù)時(shí)間的增加恢復(fù)逐漸減緩并且趨于飽和。同時(shí)器件閾值電壓的恢復(fù)與
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