硅微通道電化學腐蝕過程中的輸運特性.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電化學刻蝕硅微通道技術已經被廣泛關注，但是電化學刻蝕硅微通道過程中的輸運特性卻鮮有報道，然而硅片中載流子的輸運，硅/HF界面電荷的輸運以及溶液中物質的輸運直接影響微通道結構的刻蝕結果。
　　本論文從硅的基本性質出發(fā)，結合半導體能帶理論以及電荷傳遞理論闡述了電化學刻蝕硅微通道過程中的輸運原理；以n-型(100)晶向單晶硅為研究對象，設計實驗，找出硅片中載流子的最佳激發(fā)波長為850nm，以磷離子注入工藝制備的歐姆接觸層能產生更多的光生

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