硅基納米發(fā)光材料——多孔硅的脈沖電化學(xué)腐蝕特性研究.pdf

1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文硅基納米發(fā)光材料——多孔硅的脈沖電化學(xué)腐蝕特性研究姓名：葛進(jìn)申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：侯曉遠(yuǎn)丁訓(xùn)民20060526I要覆g七擎碩士學(xué)位論文葛進(jìn)周期內(nèi)消耗的HF越少，腐蝕越均勻。我們改變腐蝕液中HF酸的濃度，從10％2006，發(fā)現(xiàn)隨著HF酸濃度的增加，相同腐蝕電流的情況下，多孔硅層厚度也明顯增加。有文獻(xiàn)提到這是由于隨著HF濃度增加，多孔硅層的多孔度減小。我們通過(guò)SEM觀測(cè)發(fā)現(xiàn)孔徑變小?？椎臄?shù)量增加，但

2、是多孔度明顯變小。我們認(rèn)為由于F一濃度提高，提高了化學(xué)反應(yīng)的速率，即提高了擇優(yōu)向下腐蝕的能力。為了改進(jìn)多孔硅微腔的發(fā)光性能，我們探究了不同摻雜濃度硅基底腐蝕后的發(fā)光強(qiáng)度。一般來(lái)說(shuō)，摻雜越低，發(fā)光越強(qiáng)，但是層厚減小，平整性有所下降。我們研究了006Qc：m電阻率的P型單晶硅，發(fā)現(xiàn)發(fā)光強(qiáng)度很高，在選用較合適的腐蝕液濃度的情況下，界面平整度也較好。優(yōu)化占空比等脈沖腐蝕條件可以得到干涉性質(zhì)相當(dāng)明顯的多孔硅層。為進(jìn)一步制各界面平整性良好的多層多空