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文檔簡介
1、隨著高長縱比硅微通道陣列在其應用領域發(fā)揮的作用越來越大，電化學刻蝕硅微通道技術也得到了廣泛的關注，然而關于光電化學腐蝕硅微通道陣列硅中空穴輸運特性的研究很少，光生空穴的激發(fā)和硅材料內部載流子的輸運直接影響硅微通道陣列的刻蝕結果。
本文以硅的表面特性為基礎，利用硅材料能帶結構闡述了光照輔助電化學腐蝕硅微通道陣列載流子的輸運原理;以N型硅為研究對象，掃描了擴散和離子注入兩種工藝加工硅片的I-V特性曲線，對比不同歐姆接觸層對空穴激發(fā)
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