晶片減薄設(shè)備技術(shù)研究.pdf

1、本研究課題為中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所型普科研項(xiàng)目。晶片減薄設(shè)備是對(duì)晶片背面材料(主要是半導(dǎo)體硅材料)進(jìn)行磨削加工的設(shè)備。 論文首先通過晶片減薄技術(shù)原理研究，分析了硬脆材料加工理論、硬脆材料加工的壓痕斷裂理論和切削模型近似理論：在對(duì)硬脆材料高速磨削和微量切深磨削中存在著塑性去除機(jī)理，當(dāng)切深達(dá)到臨界深度后，脆性材料的去除存在著由塑性去除逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)榇嘈云屏讶コ嘧冞^程，在小于材料的臨界切深厚度條件下，可以對(duì)硬脆材料進(jìn)行能提高

2、磨削表面質(zhì)量的塑性加工，論文給出了晶片的塑性磨削是晶片減薄技術(shù)的理論根據(jù)。 論文根據(jù)以上理論，結(jié)合減薄工藝中對(duì)晶片減薄質(zhì)量的要求，對(duì)比了Creep-Feed和In-Feed兩種減薄原理的優(yōu)缺點(diǎn)，得出In-Feed減薄原理能很好地融入減薄設(shè)備設(shè)計(jì)的效率原則和力學(xué)原則，因此在減薄設(shè)備中確立了In-Feed減薄原理的技術(shù)方法。 論文還研究了減薄設(shè)備適用于減薄工藝的磨輪轉(zhuǎn)速、承片臺(tái)轉(zhuǎn)速、工作臺(tái)轉(zhuǎn)速、磨輪進(jìn)給速度以及磨輪主軸功率五