版圖寄生參數(shù)提取技術(shù)的研究.pdf

1、半導(dǎo)體工藝水平的飛速發(fā)展使當(dāng)今的集成電路進(jìn)入了超深亞微米(VDSM)階段。集成電路特征尺寸從um級(jí)到nm級(jí)的急劇縮小、工作頻率從MHz到GHz的不斷提高已使寄生參數(shù)成為影響VLSI電路性能的主要因素之一，同時(shí)也使對(duì)寄生參數(shù)提取技術(shù)的研究變得越來越重要。寄生參數(shù)提取技術(shù)的發(fā)展十分迅速，尤其是電感電阻提取的發(fā)展，它已經(jīng)成為近年來的一個(gè)研究熱點(diǎn)。 本文重點(diǎn)圍繞這一熱點(diǎn)，首先說明了電感提取技術(shù)的相關(guān)背景，接著介紹了現(xiàn)有電感電阻提取的邊界

2、元模型，評(píng)估比較了各模型的優(yōu)勢(shì)和缺點(diǎn)。同時(shí)，在此基礎(chǔ)上提出了一種新的寄生電感電阻提取模型，并從基本理論、數(shù)值實(shí)現(xiàn)以及工程簡(jiǎn)化等角度，對(duì)新模型進(jìn)行了詳細(xì)地闡述。另外還從算法復(fù)雜度和性能分析等方面，對(duì)新舊模型進(jìn)行對(duì)比，指出新模型的相對(duì)優(yōu)勢(shì)：該模型可以考慮三維渦流效應(yīng)的提取隨頻率變化，它具有邊界元未知變量少，并不對(duì)導(dǎo)體的幾何形狀加以限制，適用于復(fù)雜三維互連結(jié)構(gòu)的電感電阻提取的特點(diǎn)。 最后，從寄生效應(yīng)對(duì)版圖驗(yàn)證的影響出發(fā)，把模型應(yīng)用于電