版圖寄生參數(shù)提取技術(shù)的研究.pdf

1、半導體工藝水平的飛速發(fā)展使當今的集成電路進入了超深亞微米(VDSM)階段。集成電路特征尺寸從um級到nm級的急劇縮小、工作頻率從MHz到GHz的不斷提高已使寄生參數(shù)成為影響VLSI電路性能的主要因素之一，同時也使對寄生參數(shù)提取技術(shù)的研究變得越來越重要。寄生參數(shù)提取技術(shù)的發(fā)展十分迅速，尤其是電感電阻提取的發(fā)展，它已經(jīng)成為近年來的一個研究熱點。 本文重點圍繞這一熱點，首先說明了電感提取技術(shù)的相關(guān)背景，接著介紹了現(xiàn)有電感電阻提取的邊界

2、元模型，評估比較了各模型的優(yōu)勢和缺點。同時，在此基礎上提出了一種新的寄生電感電阻提取模型，并從基本理論、數(shù)值實現(xiàn)以及工程簡化等角度，對新模型進行了詳細地闡述。另外還從算法復雜度和性能分析等方面，對新舊模型進行對比，指出新模型的相對優(yōu)勢：該模型可以考慮三維渦流效應的提取隨頻率變化，它具有邊界元未知變量少，并不對導體的幾何形狀加以限制，適用于復雜三維互連結(jié)構(gòu)的電感電阻提取的特點。 最后，從寄生效應對版圖驗證的影響出發(fā)，把模型應用于電