兔坐骨神經(jīng)實驗性電損傷后雪旺氏細胞增殖及延遲整流鉀離子通道的變化.pdf

1、電流對組織的損傷機制除了電流熱效應(yīng)損傷以外，還存在非熱性損傷，主要表現(xiàn)為電流造成細胞脂質(zhì)雙分子層結(jié)構(gòu)損傷，甚至引起細胞膜破裂和細胞溶解。這種損傷會導(dǎo)致細胞膜離子通道的改變，影響細胞活力和增殖，一定程度的電損傷周圍神經(jīng)能否造成雪旺氏細胞延遲整流K+通道損傷，導(dǎo)致電流活動發(fā)生改變，進而影響到細胞增殖能力?目前尚未見相關(guān)研究報道。 本課題研究目的是觀察成年兔坐骨神經(jīng)在受到不同電壓的實驗性電損傷后，雪旺氏細胞在神經(jīng)潰變與再生過程中的增殖

2、變化；同時利用膜片鉗實驗技術(shù)記錄受損區(qū)域雪旺氏細胞延遲整流K+通道的活動變化。 實驗采用75v和125v建立成年兔坐骨神經(jīng)電損傷模型，以神經(jīng)橫斷傷作為對照，在神經(jīng)損傷第3、第7、第10天后，采用雙酶消化法分離受損區(qū)域雪旺氏細胞，并進行SCs細胞計數(shù)分析；采用同位素H3標(biāo)記胸腺嘧啶核苷技術(shù)，檢測雪旺氏細胞增殖的活力；采用膜片鉗技術(shù)記錄雪旺氏細胞延遲整流K+通道的變化。 結(jié)果：1.75v電損傷組在術(shù)后第3、7、10天分離的雪

3、旺氏細胞數(shù)量均明顯多于橫斷傷組；術(shù)后第3天125v電損傷組SCs分離數(shù)量明顯少于75v電損傷組。 2.術(shù)后第3、7、10天，75v電損傷組與橫斷傷組雪旺氏細胞DNA合成閃爍值和KD電流密度值均無顯著差異。125v電損傷組在術(shù)后第3天閃爍值和KD電流密度值明顯減少。 結(jié)論：1.75v電壓作用于兔坐骨神經(jīng)2秒鐘后，不能造成受損神經(jīng)內(nèi)雪旺氏細胞DNA合成能力的變化和K0離子通道電流活動改變。 2.75v電壓神經(jīng)損傷后S