版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文納米CMOS工藝中高性能BJT研究與建模姓名：虞倩旻申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：電子與通信工程指導(dǎo)教師：唐長文20080925AbstractWiththescalingofCMOStechnologyonsilicon，processfeaturesizebecomessmallerandsmalleruptOnow32nmtechnologyon12inchwaferhasbecomethenexttechnolog
2、icaltargetCMOStechnologyonSiliconiswidelyusedindigitalcircuit，mixsignalcircuit，andRFcircuitsbecauseofitsobviousadvantageslikehighperformance，highintegration，lowpowerandlowCostHowever，despiteoftheseadvantages，itisnotwitho
3、utit’Slimitations，thelowfrequency1／fnoiseisoneofthem，whichcouldreducetheperformanceofRFcircuitlikemixerBipolartransistorscanprovidespeed，currentdrivingcapabilityandlow—noiseperformance，Bycombiningbothtechnologiesonthesam
4、echip，theperformanceofthecircuitCanbegreatlyimprovedMostexistingBiCMOSprocessescombinehighperformancebipolartransistorswithMOSFETsthisresultsinarathercomplexandexpensiveprocessduetothetechnologicalincompatibilityofthetwo
5、typesoftransistorsAmoreeconomicalsolutionwouldbetousetheparasiticbipolartransistors，whichareinherentlyavailableinCMOSprocessInthispaperadvancedlateralandverticalbipolartransistorshavebeendesignedandfabricatedbySMIC130nma
6、nd90nmRFCMOSprocessTheperformanceofthosenovelbipolartransistorshavebeenimprovedthroughtheoptimizationofdevicestructureandfabricationprocess，thebasewidthofthedesignedlateralbipolartransistorcanbereducedtotheleveloflOOnmes
7、peciallyin90nmRFCMOSprocessThoseadvancedbipolartransistorscanbeusedincircuitapplicationstoimprovetheperformanceandlowerthecost，andtheycanalsobeveryhelpfulinthedesignofRFESDprotectioncircuitThemainworkincludedinthispaper：
8、(1)Designofnovellateralandverticalbipolartransistor，novellateralandverticalCMOSbipolartransistorhavebeendesignedandfabricatedbytheSMIC130nmand90nmRFCMOSprocess(2)Testandcharacterizationofthedesignednovelbipolartransistor
9、s，IVperformanceofthebipolartransistorsondifferentconditionshasbeencharacterizedTheeffectsoftransistorstructure，basedopingconcentration，basewidth(featuresize)，theshapeandareaofemitteronthecommonemittercurrentgainhavebeens
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 亞65納米CMOS工藝低功耗高性能多米諾電路的設(shè)計研究.pdf
- CMOS工藝下高性能低成本頻率綜合器研究與實現(xiàn).pdf
- 32納米低功耗高性能CMOS多米諾電路的設(shè)計與研究.pdf
- 高性能CMOS濾波器的研究與設(shè)計.pdf
- 高性能CMOS基準(zhǔn)電路設(shè)計與應(yīng)用.pdf
- 高性能CMOS比較器的設(shè)計與應(yīng)用.pdf
- 高性能4H-SiC BJT器件設(shè)計及制備技術(shù)研究.pdf
- CMOS高性能運(yùn)算放大器研究與設(shè)計.pdf
- HDTV頻率合成器中高性能CMOS可編程分頻器設(shè)計.pdf
- 高性能CMOS運(yùn)放的設(shè)計與自動綜合.pdf
- 高性能CMOS OTA及TIA設(shè)計.pdf
- CMOS圖像傳感器中高性能流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器研究.pdf
- 纖維高性能混凝土中高溫力學(xué)性能研究.pdf
- 高性能CMOS功率管理單元芯片設(shè)計研究.pdf
- SoC設(shè)計中高性能總線架構(gòu)的研究與實現(xiàn).pdf
- 寬帶高性能CMOS壓控振蕩器的研究與實現(xiàn).pdf
- 高性能CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源的研究與設(shè)計.pdf
- 片上高性能CMOS電源轉(zhuǎn)換器的研究與設(shè)計.pdf
- SoC中高性能SRAM電路設(shè)計與優(yōu)化.pdf
- 基于CMOS工藝的高性能電流模儀表放大器的設(shè)計.pdf
評論
0/150
提交評論