非平衡格林函數法在納米量級MOS器件分析中的應用.pdf

1、在現(xiàn)代集成電路中，MOS器件的特征尺寸已降到100nm以下。器件的各部分作為一個相互聯(lián)系的整體，某些部分的尺寸是微米量級，但某些部分的尺寸卻是納米量級，因此器件得以工作的載流子輸運機制既牽涉到經典的漂移—擴散輸運機制，也牽涉到量子隧穿、熱載流子發(fā)射以及各種散射輸運機制。這給器件的物理分析帶來了前所未有的難度。針對納米量級器件建立行之有效的解析理論分析模型已成為微電子學與固體電子學研究者十分關注并著力研究的重要問題。 本論文針對納

2、米量級MOS器件，采用先進的格林函數法來處理載流子的輸運問題。這種方法的特點是數學處理困難，但是可以處理復雜輸運機制，如：彈道輸運和散射輸運。并且可以得到更為準確可靠的結果，特別適合分析線度小于30rim的器件有源區(qū)的輸運特性。論文首先介紹了格林函數法的特點及其應用于分析器件中特殊問題的處理方法。然后以柵長為20nm，氧化層厚度為3－5nm的雙柵MOSFET為研究對象，應用格林函數法詳細分析并給出了器件的特性變化規(guī)律，然后給出了一個包含