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1、在現(xiàn)代集成電路中,MOS器件的特征尺寸已降到100nm以下。器件的各部分作為一個(gè)相互聯(lián)系的整體,某些部分的尺寸是微米量級(jí),但某些部分的尺寸卻是納米量級(jí),因此器件得以工作的載流子輸運(yùn)機(jī)制既牽涉到經(jīng)典的漂移—擴(kuò)散輸運(yùn)機(jī)制,也牽涉到量子隧穿、熱載流子發(fā)射以及各種散射輸運(yùn)機(jī)制。這給器件的物理分析帶來(lái)了前所未有的難度。針對(duì)納米量級(jí)器件建立行之有效的解析理論分析模型已成為微電子學(xué)與固體電子學(xué)研究者十分關(guān)注并著力研究的重要問(wèn)題。 本論文針對(duì)納
2、米量級(jí)MOS器件,采用先進(jìn)的格林函數(shù)法來(lái)處理載流子的輸運(yùn)問(wèn)題。這種方法的特點(diǎn)是數(shù)學(xué)處理困難,但是可以處理復(fù)雜輸運(yùn)機(jī)制,如:彈道輸運(yùn)和散射輸運(yùn)。并且可以得到更為準(zhǔn)確可靠的結(jié)果,特別適合分析線度小于30rim的器件有源區(qū)的輸運(yùn)特性。論文首先介紹了格林函數(shù)法的特點(diǎn)及其應(yīng)用于分析器件中特殊問(wèn)題的處理方法。然后以柵長(zhǎng)為20nm,氧化層厚度為3-5nm的雙柵MOSFET為研究對(duì)象,應(yīng)用格林函數(shù)法詳細(xì)分析并給出了器件的特性變化規(guī)律,然后給出了一個(gè)包含
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