可植入式心臟轉(zhuǎn)復(fù)除顫器誤治療研究.pdf

1、研究目的:
　　我們通過北京協(xié)和醫(yī)院單中心、回顧性研究分析ICD誤治療的發(fā)生率、常見原因、預(yù)測指標(biāo)及對臨床預(yù)后的影響，并探索減少ICD誤治療的方法。
　　研究方法:
　　2006年1月至2014年12月在北京協(xié)和醫(yī)院心內(nèi)科首次植入ICD，術(shù)后在我院規(guī)律隨訪的患者納入本研究進(jìn)行分析。通過問診和查閱病歷，收集患者臨床資料，并調(diào)閱患者ICD隨訪資料與事件記錄。由3位有經(jīng)驗的起搏電生理專業(yè)醫(yī)生根據(jù)ICD治療事件腔內(nèi)心電圖對IC

2、D治療事件進(jìn)行鑒別診斷。如果治療不是針對室性心動過速或心室顫動則該治療定義為誤治療。
　　研究結(jié)果:
　　123例患者符合研究入選標(biāo)準(zhǔn)，中位數(shù)隨訪時間36個月，共計28人(22.8％)發(fā)生誤治療。ICD共記錄292次治療事件，其中誤治療161次(55.1％)。誤治療事件中頻率在“VT/FVT”識別區(qū)間的有118次，其中單純ATP治療90次(76.3％);ATP治療后發(fā)生放電的誤治療事件多數(shù)(96％)為在1～2陣ATP后即發(fā)生

3、放電。房顫/房撲是引起誤治療的最常見原因(63.3％)，房顫/房撲病史(OR:5.3，95％ CI:1.7-16.4，p=0.004)、單腔ICD(OR:5.5，95％CI:1.8-16.3，p=0.002)、無高血壓病史(OR:3.7，95％ CI:1.2-11.7，p=0.025)以及無糖尿病病史(OR:7.6，95％ CI:1.9-30.9，p=0.005)是ICD誤治療的獨立預(yù)測指標(biāo)。單腔ICD誤治療發(fā)生率顯著高于雙腔ICD/C