采用新型涂膠工藝后光刻均勻性的研究.pdf

1、隨著半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)的蓬勃發(fā)展，集成電路的生產(chǎn)規(guī)模越來(lái)越大。其中，作為前道關(guān)鍵工藝的光刻其產(chǎn)能也不斷提高, 由此需要消耗大量的光刻膠。為降低生產(chǎn)的成本，在涂膠工藝上不斷改進(jìn),從原來(lái)傳統(tǒng)的涂膠工藝到RRC （REDUCED RESIST CONSUMPTION）到現(xiàn)在的S-RRC（SUPPER REDUCED RESIST CONSUMPTION）工藝，使光刻膠用量不斷減少。本課題也是為了使這項(xiàng)工藝能夠?qū)嶋H運(yùn)用進(jìn)行了一些研究。說(shuō)明了SRRC

2、的原理與調(diào)整方法，以及實(shí)際運(yùn)用中各個(gè)工藝參數(shù)對(duì)光刻均勻性的影響。 另一方面，隨半導(dǎo)體生產(chǎn)的發(fā)展，所使用的硅片尺寸越來(lái)越大，為保證光刻后得到均勻的線寬、提高整枚硅片的成品率，對(duì)光刻均勻性的研究就變得尤為重要。因此，在采用新的涂膠工藝后，曝光與顯影上如何保證最終光刻的均勻也做了一些研究。 本課題主要是以TEL MARK-8 顯影/涂膠機(jī)以及NIKON光刻機(jī)為基礎(chǔ)，對(duì)采用SRRC工藝后的各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，找出最佳的參數(shù)以及調(diào)整