電場對熱損傷表皮干細(xì)胞遷移行為的影響.pdf

1、研究目的：本課題旨在研究電場對SD(Sprague-Dauley）大鼠熱損傷表皮干細(xì)胞遷移行為的影響，進(jìn)一步認(rèn)識燒傷創(chuàng)面愈合的機制，為臨床上探索促進(jìn)創(chuàng)面愈合的方法提供新思路。
　　內(nèi)容與方法：
　　1.采用胰酶兩步消化法+Ⅳ型膠原差速貼壁法分離并純化SD大鼠表皮干細(xì)胞，無血清K-sfm培養(yǎng)基進(jìn)行培養(yǎng)，免疫熒光共染角蛋白19及β1整合素對表皮干細(xì)胞進(jìn)行表型鑒定。
　　2.模擬內(nèi)源性生物電場，建立外源性直流電場加電裝置，觀

2、察電場對正常表皮干細(xì)胞遷移行為的影響，選擇下一步實驗需要的加電強度及加電時間。
　　3.利用P2-P3代細(xì)胞建立熱損傷模型，對比觀察電場對熱損傷表皮干細(xì)胞遷移行為的影響。
　　結(jié)果：
　　1.通過胰酶兩步消化法分離+Ⅳ型膠原差速貼壁法純化，無血清K-sfm培養(yǎng)基培養(yǎng)的細(xì)胞，呈多角形，體積小而核質(zhì)比大，胞壁折光性強，立體感強，呈集落樣生長，鏡下可見典型的鋪路石樣結(jié)構(gòu)；同時細(xì)胞免疫熒光技術(shù)檢測所培養(yǎng)的細(xì)胞能高表達(dá)表皮干細(xì)胞

3、標(biāo)志物β1-integrin和K19。
　　2.通過建立的內(nèi)源性生物電場模擬平臺，進(jìn)行細(xì)胞遷移實驗，發(fā)現(xiàn)正常表皮干細(xì)胞定向往電場陰極遷移，其遷移的方向及速率在一定范圍內(nèi)呈場強和時間依賴性。正常表皮干細(xì)胞趨電性遷移的場強閾值約為50mV/mm。
　　3.電場可促進(jìn)53℃30s熱損傷的表皮干細(xì)胞往陰極遷移，其遷移的方向及速率在一定范圍內(nèi)呈場強和時間依賴性，且遷移速率比正常表皮干細(xì)胞更快；其對電刺激的敏感性增強，趨電性遷移的場強閾