Ⅲ-Ⅴ族和Ⅳ族元素合金的層生長模型的研究.pdf

1、Ⅲ-Ⅴ族元素和Ⅳ族元素是有著特殊電子結(jié)構(gòu)的元素，而由這些元素組成的半導(dǎo)體材料，在我們的生活中具有廣泛的應(yīng)用，是國內(nèi)外研究的重點。
　　 本研究主要是在重復(fù)SiC的有序結(jié)構(gòu)生長的基礎(chǔ)之上，根據(jù)量子力學(xué)第一原理計算和模擬動力學(xué)生長環(huán)境，對SiCAlN材料的生長過程做了研究。利用層生長模型下的外延生長模式，是研究的材料的有序結(jié)構(gòu)使用的主要方法。
　　 因為外延生長是一個非平衡的過程，在外延生長過程中的動力學(xué)特征是控制結(jié)構(gòu)形成的

2、一個主要因素。在此利用集團(tuán)展開方法和第一原理計算相結(jié)合，得到了原子間相互作用能；然后又通過調(diào)節(jié)生長溫度或生長速率來控制外延生長的動力學(xué)過程，最終實現(xiàn)有序結(jié)構(gòu)的形成。在外延生長過程中發(fā)現(xiàn)，動力學(xué)各向異性會導(dǎo)致隨著生長條件的變化，生長層的有序取向發(fā)生改變。
　　 在第一章主要講解了一下本文的主要工作，首先是介紹了在研究過程當(dāng)中所使用的主要生長模型，以及在本研究使用的模型的基礎(chǔ)之上，對SiC和SiCAlN所做的研究給出了概括性的描述。