光電子技術(shù)安毓英習(xí)題答案

1、課后題答案課后題答案1.1設(shè)半徑為Rc的圓盤(pán)中心發(fā)現(xiàn)上，距圓盤(pán)中心為l0處有一輻射強(qiáng)度為Ie的點(diǎn)源S，如下圖所示。試計(jì)算該點(diǎn)光源發(fā)射到圓盤(pán)的輻射功率。思路分析：要求由公式，都和有關(guān)，根據(jù)條件，都可求出。e?eedEdA??eedId???e?解題過(guò)程如下：法一eedEdA??故：20cReeEdA????又：20eeIEl?代入上式可得：220eecIRl???法二：eedId???2200cRleeId?????220eceIRl??

2、?1.2如下圖所示，設(shè)小面源的面積為，輻射亮度為L(zhǎng)e，面源法線(xiàn)與l0的夾角sA?為；被照面的面積為，到面源的距離為l0。若為輻射在被照面的入s?cA?sA?c?cA?射角，試計(jì)算小面源在上產(chǎn)生的輻射照度。cA?思路分析：若求輻射照度，則應(yīng)考慮公式。又題目可知缺少I(mǎi)e，則該eE20eeIEl?考慮如何求Ie。通過(guò)課本上的知識(shí)可以想到公式，通過(guò)積分則可出Ie。coseedILdS??解題過(guò)程如下：解：溫度T的升高而減小。試由普朗克熱輻射公式

3、推導(dǎo)出T=常數(shù)m?這一關(guān)系式稱(chēng)為維恩位移定律，其中常數(shù)為32.89810mK???思路分析：由公式可知，若要求得，可對(duì)進(jìn)行求偏2151()1eCTCMTe?????m?()eMT?導(dǎo)。證明過(guò)程如下：證明：2151()1eCTCMTe?????2222261152()51(1)CTeCCTTCeMTCCTee?????????????????令=0，解得：()eMT????。得證32.89810mTmK?????1.7黑體輻射曲線(xiàn)下的面積

4、等于在相應(yīng)溫度下黑體的輻射出射度M。試普朗克熱輻射公式導(dǎo)出M與溫度的四次方成正比，即M=常數(shù)4T?這一關(guān)系稱(chēng)為斯忒藩——波爾茲曼定律，其中常數(shù)為8245.6710()WmK???思路分析：對(duì)公式進(jìn)行積分即可證明。2151()1eCTCMTe?????此題和上題極為相似，如果兩個(gè)都為例題就顯很啰嗦，所以我覺(jué)得這個(gè)題最好放在上個(gè)例題的下面，讓同學(xué)們自己根據(jù)例題去練習(xí)。1.8宇宙大爆炸遺留在宇宙空間的均勻背景輻射相當(dāng)于3K黑體輻射，此輻射的單