高k介電薄膜的制備以及薄膜晶體管中的應(yīng)用研究畢業(yè)論文

1、山東大學(xué)畢業(yè)論文1畢業(yè)論文畢業(yè)論文(設(shè)計(jì)設(shè)計(jì))論文(設(shè)計(jì))題目：高k介電薄膜的制備以及薄膜晶體管中的應(yīng)用研究介電薄膜的制備以及薄膜晶體管中的應(yīng)用研究Thefabricationofhighkdielectricsfilmitsapplicationonthinfilmtransists學(xué)生姓名周廣杰周廣杰學(xué)院材料科學(xué)與工程材料科學(xué)與工程專業(yè)無機(jī)非金屬材料工程無機(jī)非金屬材料工程年級(jí)2011級(jí)指導(dǎo)教師姓名指導(dǎo)教師姓名王素梅王素梅副教授副教授

2、山東大學(xué)畢業(yè)論文3關(guān)鍵詞：關(guān)鍵詞：薄膜晶體管；高K介電材料；溶膠凝膠法；Al2O3薄膜AbstractGatedielectricmaterialisanimptantcomponentinmetaloxidesemiconductfieldeffecttransist(MOSFET).Inrecentyearswiththerapiddevelopmentoftransistdevicestowardselabationminiatu

3、rizationthepropositiondevelopmentofhighKmaterialshasbecomeanewresearchhotspot.ButfthegatedielectricmaterialusedinMOSFETinadditiontotherequirementofhighdielectricconstantthequalityofthegatedielectricfilminterfaceisalsoreq