0.13μmeeprom器件測(cè)試分析

1、分類號(hào) 密級(jí) UDC注 1 學(xué) 位 論 文 0.13μm EEPROM 器件測(cè)試分析 器件測(cè)試分析 （題名和副題名） 喻尊 喻尊 （作者姓名） 指導(dǎo)教師姓名 李澤宏 李澤宏 副教授 副教授 電子科技大學(xué) 電子科技大學(xué)

2、成都 成都 （職務(wù)、職稱、學(xué)位、單位名稱及地址） 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別 碩士 碩士 專業(yè)名稱 微電子學(xué)與固體電子學(xué) 微電子學(xué)與固體電子學(xué) 論文提交日期 2010.4 論文答辯日期 2010.5 學(xué)位授予單位和日期 電子科技大學(xué) 電子科技大學(xué) 答辯委員會(huì)主席 評(píng)閱人 年 月

3、 日 注 1 注明《國(guó)際十進(jìn)分類法 UDC》的類號(hào)摘要 I 摘 要 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)， 電可擦寫(xiě)只讀存儲(chǔ)器，是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失、可在線重復(fù)擦寫(xiě)編程的存儲(chǔ)器，通常寫(xiě)入的數(shù)據(jù)常溫條件下可以保存數(shù)十年，其擦寫(xiě)編程周期可達(dá)百萬(wàn)次以上。作為理想的小容量不易失存儲(chǔ)器（NVM, Nonvolatile Memory） ，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電

4、子、工業(yè)類電子等產(chǎn)品領(lǐng)域。 本文以復(fù)旦微電子股份有限公司與新加坡特許半導(dǎo)體聯(lián)合開(kāi)發(fā)的 0.13μm EEPROM 工藝開(kāi)發(fā)及器件驗(yàn)證項(xiàng)目為中心，結(jié)合不易失存儲(chǔ)器理論及自開(kāi)發(fā)測(cè)試驗(yàn)證平臺(tái)介紹，分析驗(yàn)證工藝、器件特性。本文的主要工作包括： 1） NVM 器件基本理論研究。 首先， 對(duì) NVM 涉及相關(guān)半導(dǎo)體物理機(jī)理進(jìn)行分析和研究；其次，對(duì)常用三類 NVM 類型（EPROM、EEPROM、Flash）及各類型存儲(chǔ)器典型單元特征結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析和研

5、究。 2）0.13μm EEPROM 單元、陣列及 EEPROM 工藝介紹。對(duì)本項(xiàng)目 EEPROM目標(biāo)存儲(chǔ)單元和存儲(chǔ)陣列及開(kāi)發(fā)工藝進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。 3）自開(kāi)發(fā)測(cè)試驗(yàn)證平臺(tái)介紹。測(cè)試驗(yàn)證平臺(tái)主要包含 NB0401 測(cè)試系統(tǒng)，安捷倫電源、安捷倫萬(wàn)用表、精準(zhǔn)溫控氣流箱、自開(kāi)發(fā) PCB 測(cè)試板，單片機(jī)測(cè)試程序及測(cè)試腳本，通過(guò)對(duì)測(cè)試流程的分析加以描述。 4）工藝器件驗(yàn)證、特性分析。器件特性主要包含 EEPROM 單元的閾值電壓VT 與擦、寫(xiě)編程高壓