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1、考試試卷( 3 )卷一、填空題:(本題共 7 小題,每空 1 分,共 20 分)1、請(qǐng)?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱:電力晶體管 GTR ;可關(guān)斷晶閘管 GTO ;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET ;絕緣柵雙極型晶體管 IGBT ;IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的觸發(fā)功率、觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高和觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽(yáng)極電壓同步。3、多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮均流的問(wèn)題,解決的
2、方法是串專用均流電抗器。4、在電流型逆變器中,輸出電壓波形為正弦波,輸出電流波形為方波。5、三相橋式逆變電路,晶閘管換相是在同一橋臂上的上、下二個(gè)開(kāi)關(guān)管間進(jìn)行,稱為 180°導(dǎo)電型6、當(dāng)溫度降低時(shí),晶閘管的觸發(fā)電流會(huì)增加、正反向漏電流會(huì)減少;7、常用的過(guò)電流保護(hù)措施有快速熔斷器、串進(jìn)線電抗器、接入C、脈沖變壓器變比D、以上都不能4、可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為() 。A、三相半波可控整流電路B、三相半控橋整流橋電路C、單相全控橋接續(xù)
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