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文檔簡介
1、憶阻器作為一種有記憶功能的非線性電阻,被認(rèn)為是除電阻、電容和電感之外的第四種基本電路元件,且在人工智能、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、新型存儲(chǔ)器和憶阻混沌電路等新興信息技術(shù)領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。而廣義憶阻器是采用常見元器件等效實(shí)現(xiàn)憶阻器功能的非線性電路,其電路性能可靠、結(jié)構(gòu)簡單、易于物理實(shí)現(xiàn)、便于單片集成后接入到應(yīng)用電路中,還為憶阻器實(shí)物的建模分析和實(shí)驗(yàn)研究提供了關(guān)鍵信息,因此具有更高的實(shí)用價(jià)值。通過用憶阻元件來替換蔡氏電路中的蔡氏二極管,能獲得一系列
2、具有復(fù)雜動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象的憶阻混沌電路。與普通的混沌電路相比,憶阻混沌電路的非線性行為會(huì)更復(fù)雜、具有更高的研究價(jià)值,因此,對(duì)其進(jìn)行動(dòng)力學(xué)分析及同步方法的研究具有重要的意義。
本論文生成了一個(gè)新的四階蔡氏憶阻混沌電路,并對(duì)此混沌電路進(jìn)行了數(shù)值仿真及動(dòng)力學(xué)分析、硬件搭建實(shí)驗(yàn)及同步方法的探討,最后又通過一個(gè)基于非光滑的廣義憶阻器的無平衡點(diǎn)混沌電路進(jìn)行了對(duì)比。以下四個(gè)方面涵蓋了本論文的核心內(nèi)容:
(1)對(duì)混沌科學(xué)的發(fā)展背景及領(lǐng)域相
3、關(guān)知識(shí)作了簡要介紹,特別是對(duì)憶阻混沌電路的分析及同步實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行了充分闡述。
(2)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)新的四階蔡氏憶阻混沌電路,并且改變電路中的負(fù)電阻的阻值可以相應(yīng)地觀察到系統(tǒng)不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。該電路的參數(shù)容易調(diào)節(jié),且動(dòng)力學(xué)特性豐富,可以很容易地觀察到混沌狀態(tài)。
(3)基于最優(yōu)控制理論,針對(duì)所提出的四階蔡氏憶阻混沌電路,設(shè)計(jì)了最優(yōu)控制律,給出了一種實(shí)現(xiàn)該類系統(tǒng)同步的方法,并利用李雅普諾夫穩(wěn)定性定理證明了驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和響應(yīng)系統(tǒng)
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