![](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/6/23/a76eb5f6-d5cf-4e8a-8f39-f4b241984668/a76eb5f6-d5cf-4e8a-8f39-f4b241984668pic.jpg)
![2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/6/23/a76eb5f6-d5cf-4e8a-8f39-f4b241984668/a76eb5f6-d5cf-4e8a-8f39-f4b2419846681.gif)
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、如何緩解功率LDMOS(Lateral Double-diffusion Metal Oxide Semiconducor)耐壓與比導(dǎo)通電阻之間的矛盾關(guān)系,一直是業(yè)界研究的熱點(diǎn)問(wèn)題。槽柵作為一種能夠有效提升器件性能的結(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于功率 LDMOS的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中。本文在槽柵技術(shù)的基礎(chǔ)上,致力于在器件耐壓和比導(dǎo)通電阻之間取得更好的折中,提出了不同耐壓級(jí)別的新型槽柵LDMOS結(jié)構(gòu)。
本研究主要內(nèi)容包括:⑴100V級(jí)別具有延伸柵的SO
2、I LDMOS器件(Extended Trench Gate Silocon-On-Insulator,ETG SOI LDMOS)。在P-body區(qū)為三柵結(jié)構(gòu),有效提高器件的溝道寬度,降低溝道電阻。延伸柵、二氧化硅槽和漂移區(qū)之間組成的電容并在導(dǎo)通狀態(tài)下形成多子積累層和阻斷狀態(tài)下對(duì)漂移區(qū)輔助耗盡而提高漂移區(qū)摻雜濃度,有效降低了漂移區(qū)電阻。仿真結(jié)果,ETG SOI LDMOS耐壓BV=94V,比導(dǎo)通電阻Ron,sp=0.34 mΩ?cm2
3、,在幾乎相同的耐壓下,相比于Con(Conventional) SOI LDMOS和 SJ(Super Junction) SOI LDMOS,其比導(dǎo)通電阻分別下降了67.8%和54.7%,器件在耐壓和比導(dǎo)通電阻之間獲得更好的折中。⑵200V級(jí)具有N型埋層(NBL-N Buride Layer)和槽柵槽漏(TGTD-Trench Gate Trench Drain)的SOI LDMOS(NBL TGTD SOI LDMOS)。槽柵與槽漏
4、的結(jié)構(gòu)組合極大的減小了漂移區(qū)的電流路徑長(zhǎng)度,擴(kuò)展了漂移區(qū)的導(dǎo)電面積,有效降低了器件電阻。N型埋層能夠提高埋氧層內(nèi)電場(chǎng),同時(shí)優(yōu)化電場(chǎng)橫向分布,提高了器件耐壓。仿真結(jié)果,NBL TG LDMOS耐壓 BV=221V,比導(dǎo)通電阻 Ron,sp=3.0 mΩ?cm2,相比于常規(guī) TG SOI LDMOS,耐壓提高了15%,比導(dǎo)通電阻下降了36%。⑶700V級(jí)別具有 P型埋層(PBL-P Buride Layer)的槽柵(TG-Trench Ga
5、te)LDMOS結(jié)構(gòu)(PBL TG LDMOS)。槽柵不僅在導(dǎo)通狀態(tài)下優(yōu)化電流路徑,而且阻斷狀態(tài)下調(diào)制電場(chǎng)分布,并輔助耗盡漂移區(qū)。P型埋層在阻斷狀態(tài)下優(yōu)化器件電場(chǎng)分布,防止槽柵末端發(fā)生提前擊穿;同時(shí)輔助耗盡漂移區(qū)而提高漂移區(qū)摻雜濃度。槽柵和 P型埋層的有效組合,使得器件在耐壓和比導(dǎo)通電阻兩方面性能均得以提升。仿真結(jié)果,PBLTG LDMOS耐壓BV=775V,比導(dǎo)通電阻Ron,sp=119 mΩcm2,在相同的器件尺寸下,與Con LD
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 槽柵型二維類(lèi)超結(jié)LDMOS研究.pdf
- 新型分段淺槽隔離LDMOS器件研究.pdf
- 槽型低阻SOI橫向功率器件研究與設(shè)計(jì).pdf
- 新型700V低比導(dǎo)通電阻LDMOS的研究與設(shè)計(jì).pdf
- 具有槽型電荷平衡結(jié)構(gòu)的低阻DMOS設(shè)計(jì).pdf
- 易集成的槽型低阻功率MOSFET研究.pdf
- 新型終端LDMOS設(shè)計(jì)與工藝實(shí)現(xiàn).pdf
- 新型溝槽LDMOS和N型覆蓋層超結(jié)LDMOS設(shè)計(jì).pdf
- 帶高阻面結(jié)構(gòu)的新型折疊槽天線的設(shè)計(jì).pdf
- 新型低流阻倒流防止器的設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 槽型LDMOS新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研究.pdf
- 新型低阻可集成SOI橫向功率器件研究.pdf
- 槽柵DMOS器件的研究與設(shè)計(jì).pdf
- 新型低壓LDMOS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真.pdf
- 新型低阻通道三維橫向MOS研究.pdf
- 薄層SOI高壓LDMOS背柵調(diào)制模型與特性研究.pdf
- 新型三維100V LDMOS器件設(shè)計(jì).pdf
- 新型SOI LDMOS高壓器件研究.pdf
- 復(fù)合柵多階梯場(chǎng)極板LDMOS電學(xué)特性的研究.pdf
- 新型干法低阻高效預(yù)分解系統(tǒng)性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論