高純?nèi)谆X中痕量氧雜質(zhì)的NMR定量研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、三甲基鋁是一種高純金屬有機(jī)化合物(簡稱MO源)。是制造高亮度發(fā)光二級管(LED)、新一代太陽能電池、相變存儲器、半導(dǎo)體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材料之一。在半導(dǎo)體照明、信息通訊、航天等領(lǐng)域都有著重要應(yīng)用。還在“神州”飛船,“東4”大衛(wèi)星平臺系列衛(wèi)星等航天器的太陽能電池上成功運(yùn)用,徹底打破了國外在這一重要國防科技領(lǐng)域?qū)ξ覈姆怄i。研究表明,三甲基鋁MO源品質(zhì)純度要求非常高,其中的痕量雜質(zhì)對半導(dǎo)體材料的電學(xué)、光學(xué)性能有著至關(guān)重要的影

2、響,一旦達(dá)不到要求,則會對下游外延片生長帶來致命的缺陷。因此,MO源三甲基鋁中的痕量雜質(zhì)分析是一個(gè)重要的研究課題。近年來,隨著LED爆發(fā)式的發(fā)展,MO源需求不斷增加,我國實(shí)現(xiàn)MO源國產(chǎn)化對發(fā)展我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、提高國防實(shí)力、推動我國光電子及微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大意義。
  三甲基鋁中的雜質(zhì)分為無機(jī)雜質(zhì)和有機(jī)雜質(zhì),分別采用不同的分析儀器進(jìn)行測量。電感耦合等離子體院子原子發(fā)射光譜(ICP-OES),給無機(jī)痕量雜質(zhì)分析提供了快速有效的分析

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