Si-,n-N-,m-的穩(wěn)定構(gòu)型及PCl-,3--H-,2-在硅襯底表面上反應(yīng)機(jī)理的理論研究.pdf

1、本論文利用Gaussian98程序，采用密度泛函理論B3LYP方法，在6-311G**基組下，研究了SinNm的穩(wěn)定構(gòu)型及PCl3/H2在硅襯底表面上反應(yīng)機(jī)理。 第一部分用Si4原子簇模擬硅襯底，探討了PCl3/H2在硅襯底表面上的反應(yīng)機(jī)理。在硅襯底上PCl3首先發(fā)生解離吸附，然后吸附產(chǎn)物與H2經(jīng)四步驟多通道反應(yīng)，最終得到了PSi4原子簇。全參數(shù)優(yōu)化反應(yīng)勢能面上各駐點(diǎn)的幾何構(gòu)型，然后通過對各過渡態(tài)唯一虛頻振動模式分析和內(nèi)稟反應(yīng)坐

2、標(biāo)(IRC)計(jì)算確認(rèn)過渡態(tài)，給出了反應(yīng)的主反應(yīng)通道。 第二部分全面系統(tǒng)地對SinNm體系的微觀穩(wěn)定構(gòu)型進(jìn)行了理論研究。探討SinNm原子簇的可能存在穩(wěn)定構(gòu)型和各穩(wěn)定構(gòu)型之間Si-N化學(xué)鍵鍵長以及各種構(gòu)型相對穩(wěn)定性的變化規(guī)律。分析得出：[1]當(dāng)物質(zhì)中氮原子數(shù)目m=1，2，3個(gè)時(shí)，硅原子數(shù)目從1變化至3時(shí)，各物質(zhì)最穩(wěn)定構(gòu)型為線性或平面結(jié)構(gòu)；當(dāng)?shù)訑?shù)目m=4時(shí)，硅原子數(shù)目從1變化至3時(shí)，各物質(zhì)最穩(wěn)定構(gòu)型都為三維立體結(jié)構(gòu)。[2]同種物