外場中一維多勢壘結(jié)構(gòu)電導(dǎo)計(jì)算.pdf

1、本論文對GaAs/Ga0.5 Al0.5 As超晶格在有和無外場作用下的共振傳輸問題，以及GaAs/Ga0.5Al0.5As超晶格各參數(shù)對單位面積電導(dǎo)的影響進(jìn)行了研究。
　　第一章，系統(tǒng)介紹了半導(dǎo)體超晶格的電子態(tài)和在外場中中的研究狀況，超晶格量子阱的物理器件及近期發(fā)展。.
　　第二章，主要介紹了本論文所用的多勢壘結(jié)構(gòu)模型，有無外場情況下的透射系數(shù)及單位面積電導(dǎo)的理論計(jì)算。.
　　第三章，我們研究了GaAs/Ga0.5

2、Al0.5 As超晶格各參數(shù)對電子在有無外場條件下一維多勢壘結(jié)構(gòu)中的透射系數(shù)的影響。透射系數(shù)與入射電子能量曲線中的共振能量對應(yīng)于勢阱中的準(zhǔn)束縛能級，同時(shí)，共振能量間距即為準(zhǔn)束縛能級間的間距。分別闡述了有效質(zhì)量、勢壘寬度、勢壘個數(shù)與多勢壘結(jié)構(gòu)的透射共振之間的關(guān)系。及外加偏壓對準(zhǔn)束縛能級的影響。
　　第四章，計(jì)算和分析了在溫度T→0K和T＞OK的單位面積電導(dǎo)與外加偏壓的關(guān)系。我們發(fā)現(xiàn)溫度對電導(dǎo)與偏壓的特性曲線基本無影響，只是電導(dǎo)隨溫度