硬脂酸LB膜對NaCl晶體方向性生長誘導作用的研究.pdf

1、隨著人們對功能性材料研究的不斷深入，各種具有特殊功能的晶體材料的研究和利用也引起越來越多研究者們的關(guān)注。其中部分晶體的功能只體現(xiàn)在某些特殊的晶型當中，所以利用技術(shù)手段誘導晶體使它們只按照那些具有特殊功能的晶型進行生長是一個值得研究的課題。
　　 利用分子膜來誘導晶體方向性生長的方法已經(jīng)被廣泛采用于對制備方向性晶體的研究當中。其中利用Langmuir-Blodgeett(LB)技術(shù)可以在制膜工藝過程中設(shè)置不同條件，從而制備各種可能

2、對晶體方向性生長具有誘導作用的分子膜模板。在制膜過程中，LB技術(shù)擁有制膜過程容易操作，所制備分子膜穩(wěn)定性較好等優(yōu)點，這使得LB膜在誘導晶體的方向性生長方面具有更好的應(yīng)用前景。并將為人們開發(fā)利用具有特殊功能晶體材料的研究提供很大的幫助。因此，LB技術(shù)在誘導晶體生長方面的作用具有重要研究價值。
　　 本文研究了利用硬脂酸LB膜作為模板對NaCl晶體溶液狀態(tài)下進行誘導生長的現(xiàn)象，發(fā)現(xiàn)不同表面壓下制備的硬脂酸LB膜對NaCl晶體定向生長

3、的區(qū)別很大，當表面壓在較低狀態(tài)10 mN/m時，NaCl晶體的方向性生長基本不受到誘導作用。隨著表面壓增大，誘導作用逐漸增強，當硬脂酸LB膜達到30mN/m時，發(fā)現(xiàn)NaCl晶體只沿著(200)晶面方向生長，這一現(xiàn)象表明在該表面壓下，硬脂酸LB膜對NaCl晶體的方向性生長達到了很好的誘導效果。
　　 在此基礎(chǔ)上，本文在LB膜誘導晶體生長的過程中增加了對溶液降溫的條件的探索，研究了降溫速度在誘導晶體方向性生長過程中產(chǎn)生的影響，發(fā)現(xiàn)在