G-C3N4-氧化鋁基異質(zhì)結(jié)合成及其可見光催化活性研究.pdf

1、ClassifiedIndex：06433UDC：661SecrecyRate：P。ub1icize—d—UniversityCode：咝HebeiUniversityofScienceandTechnologyDissertationfortheMasterDegreeSynthesisofg—C3N4／Alumina—BasedHeterojunctionsandTheirVisible—LightPhotocatalyticAct

2、ivityCandidate：Supervisor：AssociateSupervisor：AcademicDegreeApppfiedfor：Speciality：Employer：DateofOralExamination：XueYabinProfLiFatangMasterofEngineeringAppliedChemistryCollegeofSciencesMay，2016摘要摘要隨著經(jīng)濟的增長，環(huán)境問題日益惡化。半導(dǎo)體光催

3、化劑由于其在利用清潔、安全、取之不盡的太陽能降解污染物方面的潛力受到了人們的關(guān)注。發(fā)展可見光響應(yīng)光催化劑是光催化技術(shù)能得到實際應(yīng)用的首要條件。石墨型氮化碳(g—C3N4)由于其廉價易得和相對較窄的禁帶寬度(27eV)引起了大家廣泛的興趣。然而，gC3N4還存在光生電子空穴對復(fù)合率較高和量子產(chǎn)率較低等問題。為了改善原始的g—C3N4的光催化活性，人們采取了很多方法，在這些方法中，gC3N4與其他半導(dǎo)體的耦合是一種非常有效的方法。本文利用溶

4、液燃燒法合成了一種含有無定形組分的MgAl204納米粉體，進而通過一步煅燒法合成了MgAl204／gC3N4異質(zhì)結(jié)，通過降解羅丹明B(RhB)和亞甲基藍(Ma)N試了它的光催化性能?；跓o定形MgAl204中A1一O鍵長縮短、禁帶寬度降低的原理，進一步通過沉淀法合成了有高比表面積(159m2／g)的介孔丫一舢203。制備出的A1203表現(xiàn)出了紫外光區(qū)的吸收性能。利用A1203缺陷位能夠轉(zhuǎn)移光生電子的能力，合成了A1203／gC3N4異質(zhì)