基于MCZ33937EK電路測(cè)試與可靠性關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、基于基于MCZ33937EKMCZ33937EK電路電路測(cè)試測(cè)試與可靠性可靠性關(guān)鍵技關(guān)鍵技術(shù)研究研究StudyonStudyonMCZ33937EKMCZ33937EKtesttestreliabilityreliabilityimprovimprovementement學(xué)科專業(yè)：集成電路工程專業(yè)研究生：郭玉敬指導(dǎo)教師：趙毅強(qiáng)天津大學(xué)電子信息工程學(xué)院二零一三年三月中文摘要中文摘要中文摘要半導(dǎo)體測(cè)試是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的一環(huán)，隨著工藝

2、尺寸的減小，測(cè)試成本甚至達(dá)到了芯片全部成本的一半以上。隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜化程度日益的增加，半導(dǎo)體測(cè)試的要求也越來越高，其中汽車電子由于其特殊的使用環(huán)境和對(duì)可靠性的高標(biāo)準(zhǔn)要求，對(duì)測(cè)試環(huán)節(jié)就提出了更嚴(yán)格的要求。企業(yè)在保證客戶滿意度的同時(shí)也需要降低生產(chǎn)成本達(dá)到盈利的目的，二者之間需要找到平衡點(diǎn)。本文以泰瑞達(dá)公司的FLEX測(cè)試系統(tǒng)為平臺(tái)，研究了芯片的測(cè)試的外圍設(shè)備以及測(cè)試原理。通過介紹芯片的結(jié)構(gòu)以及原理，分析一些特殊情況下失效器件的原因，基于最

3、大可能模擬芯片實(shí)際使用過程中可能出現(xiàn)的極端情況，并根據(jù)測(cè)試原理對(duì)現(xiàn)有的測(cè)試項(xiàng)進(jìn)行了改進(jìn)，主要包括Leakage測(cè)試和Stress測(cè)試。通過反復(fù)測(cè)試，將存在潛在問題的芯片篩查出來。在此基礎(chǔ)上，研究并改進(jìn)原有Leakage測(cè)試和Stress測(cè)試程序，改進(jìn)后的Leakage測(cè)試和Stress測(cè)試程序可有效檢查出潛在失效的芯片，同時(shí)根據(jù)生產(chǎn)成本的考慮，對(duì)改進(jìn)后的測(cè)試流程進(jìn)行優(yōu)化，減少不必要的浪費(fèi)，可以達(dá)到芯片可靠性的提升與盡量少的增加企業(yè)測(cè)試成