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1、當(dāng)集成電路的特征尺寸減小和集成的密度提高時,后段金屬連線在芯片系統(tǒng)中所占的面積大小和成本價格占的比重也越大,按照半導(dǎo)體器件等比例大小縮小的原理,隨著器件特征尺寸的縮小,芯片電流密度隨之提高,導(dǎo)致金屬化系統(tǒng)受到最為嚴(yán)重的影響。同時金屬互連線層數(shù)越來越多,互連導(dǎo)線的截面積也越來越小,導(dǎo)致電阻增大,電容也變大,這樣RC時間延時整體也在不斷變大。0.25um技術(shù)下,晶體管自身的時間延遲相當(dāng)于金屬互連RC所帶來的時間延遲,所以,特別是當(dāng)該尺寸進(jìn)一
2、步減少到45/40nm,RC時間延遲引起的互連引線問題格外重要。
后段互連延時主要跟互連線的阻值R和絕緣介質(zhì)層的電容C相關(guān),到了0.18um以后都采用電阻率比較小的金屬材料銅作為互連材料。此外,采用低k值的介質(zhì)層也有效的降低了電容,目前主流采用的是黑珍珠材料,引入BLOk薄膜作為低K材料與金屬間的隔離層。
要解決45/40nm后段 RC延時,當(dāng)沒有找到更低阻的金屬連線材料和K值更低的介質(zhì)層材料時,要降低R和C的策略,
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