論90nm以下淺溝槽隔離工藝的實(shí)現(xiàn).pdf_第1頁(yè)
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1、在現(xiàn)代集成電路制造中,一般采用淺溝槽隔離技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)有源器件的隔離。然而隨著器件尺寸的縮小,對(duì)淺溝槽隔離的無(wú)縫隙填充成為隔離技術(shù)中的難點(diǎn)之一。本論文主要介紹一種基于O3/TEOS在半大氣壓下應(yīng)用化學(xué)氣相淀積的工藝生長(zhǎng)方法來(lái)生成SiO2薄膜,并應(yīng)用在90nm以下淺溝槽隔離的填充。其中著重描述了反應(yīng)腔對(duì)反應(yīng)溫度,反應(yīng)壓力和氣體流量的控制方法,以及測(cè)量設(shè)備對(duì)淀積薄膜性能的測(cè)量原理。然后通過(guò)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),研究了反應(yīng)劑濃度,反應(yīng)溫度,反應(yīng)壓力等各反應(yīng)條

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