版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、在信息化迅猛發(fā)展的今天,新型電子產(chǎn)品已經(jīng)走入人們的視野。超市購物無需排隊(duì);顯示器可折疊;智能手機(jī)微型化。這些美妙場景預(yù)示著晶體管正面臨著一次革命:從傳統(tǒng)的無機(jī)半導(dǎo)體晶體管向有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFET)過渡。有機(jī)半導(dǎo)體材料與無機(jī)半導(dǎo)體材料相比,有突出的優(yōu)勢,其研究正如火如荼。然而,相對(duì)而言,關(guān)于OFET的界面性質(zhì)提高方面的研究就比較少。因此,本文內(nèi)容主要集中于絕緣層界面修飾對(duì)OFET器件性能影響的研究,具體研究內(nèi)容如下:
首先,
2、本文簡要介紹了OFET的研究進(jìn)展及熱點(diǎn)研究問題,總結(jié)了OFET的器件結(jié)構(gòu)及各層材料,并介紹了OFET的基本工作原理。論述了有機(jī)半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型和電學(xué)模型及以此得到的OFET主要參數(shù)。討論了半導(dǎo)體生長理論、絕緣層表面能及粗糙度對(duì)器件性能的影響,并以此建立實(shí)驗(yàn)的理論依據(jù)。
然后,我們制備了高性能OFET器件。研究了十八烷基硅烷(OTS)修飾對(duì)器件性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在OTS修飾SiO2后,得到的有機(jī)半導(dǎo)體的薄膜有序度更高,表
3、面形貌較為平整,遷移率增大;OTS優(yōu)越的絕緣性使得開關(guān)比提高約三個(gè)數(shù)量級(jí)。在此基礎(chǔ)上,我們深入研究了快速退火方式對(duì)OFET性能的影響,發(fā)現(xiàn)在快速方式退火得到的OTS薄膜上蒸鍍得到的并五苯薄膜有序度大大提高,而且快速退火方式能夠進(jìn)一步降低表面陷阱密度,故遷移率增大,閾值電壓減小。
我們還選取了三種聚合物(聚甲基丙烯酸甲酯-PMMA、聚苯乙烯-PS、聚4-乙烯基苯酚-PVP)修飾SiO2絕緣層,探討聚合物修飾對(duì)OFET性能的影響。
4、實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,聚合物修飾后,最大陷阱密度降低,故遷移率增大。聚合物的優(yōu)越絕緣性也使得開關(guān)比提高到105-106??焖偻嘶鸱绞侥軌虻玫阶罡叩挠行蚨群洼^低的粗糙度,故可進(jìn)一步優(yōu)化并五苯薄膜性質(zhì),而且快速退火方式能夠進(jìn)一步降低表面陷阱密度,減小閾值電壓,提高遷移率。同時(shí),我們從偶極內(nèi)建電場的角度分析了PVP修飾層得到的OFET閾值電壓最低的原因,推測是PVP產(chǎn)生的偶極電場產(chǎn)生一表面勢,降低了OFET的閾值電壓。
最后,簡要總結(jié)全文并
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 有機(jī)場效應(yīng)晶體管絕緣層材料的設(shè)計(jì)、制備及性能研究.pdf
- 有機(jī)場效應(yīng)晶體管及有機(jī)光敏場效應(yīng)晶體管的制備與研究.pdf
- 基于三層絕緣層的柔性有機(jī)場效應(yīng)晶體管的制備與研究.pdf
- 有機(jī)場效應(yīng)晶體管的研制.pdf
- 有機(jī)場效應(yīng)晶體管的研究與試制.pdf
- 垂直構(gòu)型有機(jī)場效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 疊層結(jié)構(gòu)有機(jī)場效應(yīng)晶體管的制備與研究.pdf
- 場效應(yīng)晶體管
- 有機(jī)場效應(yīng)晶體管界面修飾及性能研究.pdf
- 并五苯有機(jī)場效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 場效應(yīng)晶體管90069
- 基于界面修飾的高性能有機(jī)場效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 并三苯有機(jī)場效應(yīng)晶體管的研制.pdf
- 柔性有機(jī)場效應(yīng)晶體管(OFET)器件性能的研究.pdf
- 場效應(yīng)晶體管90476
- 溶液化制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 有機(jī)場效應(yīng)晶體管電路仿真模型的研究.pdf
- 噴墨印刷制備有機(jī)場效應(yīng)晶體管的研究.pdf
- 有源層摩擦取向?qū)τ袡C(jī)場效應(yīng)晶體管性能的影響.pdf
- 有機(jī)小分子場效應(yīng)晶體管的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論