硼鎵共摻雜單晶硅電池抑制光衰減研究.pdf

1、單晶硅太陽(yáng)能電池是太陽(yáng)能電池市場(chǎng)一個(gè)重要組成部分，因?yàn)槠渚哂衅渌?yáng)能電池不可比擬的優(yōu)勢(shì)而一直牢牢主導(dǎo)著光伏領(lǐng)域。目前，與其它種類(lèi)太陽(yáng)能電池相比單晶硅太陽(yáng)能電池在光電轉(zhuǎn)換效率和成本方面優(yōu)勢(shì)明顯。在實(shí)驗(yàn)條件下太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)突破20％，而在此背景下抑制P型單晶硅太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率衰減問(wèn)題已經(jīng)成為光伏科技領(lǐng)域研究的重點(diǎn)和熱點(diǎn)。B,Ga共摻單晶硅太陽(yáng)能電池降低了光電轉(zhuǎn)換效率衰減同時(shí)提高了電池的成品率，具有廣闊的應(yīng)用前景。

2、　　本文首先深入研究B,Ga共摻單晶硅熱處理后，其O雜質(zhì)含量和缺陷變化及熱處理對(duì)其非平衡少數(shù)載流子壽命的影響。結(jié)果表明：B,Ga共摻單晶硅的間隙O含量隨著熱處理溫度的升高呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，高溫和長(zhǎng)時(shí)間的熱處理促進(jìn)了O沉淀的形成。經(jīng)過(guò)前期預(yù)處理后，隨著后續(xù)熱處理溫度的升高更有利于O沉淀有效半徑的增大。通過(guò)摻B、B,Ga共摻和摻Ga三種不同單晶硅對(duì)比得出Ga的引入抑制了O沉淀成核尺寸。對(duì)于非平衡少數(shù)載流子壽命而言，高溫度和長(zhǎng)時(shí)間熱處理明顯都是不

3、利因素。O沉淀缺陷復(fù)合中心的存在，提高了非平衡少數(shù)載流子的復(fù)合效率，降低了非平衡少數(shù)載流子壽命。
　　對(duì)不同電阻率的B,Ga共摻單晶硅的光致衰減進(jìn)行了研究。結(jié)果表明：1.5Ω·cm的B,Ga共摻單晶硅太陽(yáng)能電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率，而0.5Ω·cm的B,Ga共摻單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率衰減率較低。
　　對(duì)比不同種類(lèi)的P型單晶硅太陽(yáng)能電池性能并進(jìn)行光致衰減研究。結(jié)果表明：B,Ga共摻單晶硅太陽(yáng)能電池?fù)碛休^穩(wěn)定的光電轉(zhuǎn)換