紫外光電發(fā)射材料的表面光電壓譜測(cè)試技術(shù)研究.pdf

1、紫外光電陰極是紫外真空探測(cè)器件的核心部件，決定了器件的整體性能。以GaN和AlGaN等材料為代表的Ⅲ族氮化物寬帶隙光電發(fā)射材料具有優(yōu)良的特性和誘人的應(yīng)用前景。本文研究紫外光電發(fā)射材料的表面光電壓譜測(cè)試技術(shù)。
　　本文首先闡述了表面光電壓的產(chǎn)生原理，表面光電壓譜的測(cè)量方法。介紹了GaAs表面光電壓譜測(cè)試系統(tǒng)的構(gòu)成，提出了針對(duì)紫外光電發(fā)射材料光電壓譜測(cè)試的改進(jìn)方案，并分別對(duì)光源、光電壓池、光纖及測(cè)試軟件進(jìn)行了詳細(xì)的改進(jìn)說(shuō)明。接著基于硅

2、材料的表面光電壓理論，利用紫外光電光譜測(cè)試系統(tǒng)，在不同入射波長(zhǎng)、不同入射光強(qiáng)下獲得了硅材料表面光電壓以及硅材料紫外表面光電壓譜，并對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了定性分析，證明了紫外表面光電壓譜測(cè)試系統(tǒng)確實(shí)可以有效地獲取材料在紫外波段的表面光電壓。并研究了光電壓池MIS電容結(jié)構(gòu)對(duì)系統(tǒng)性能的影響，分析了測(cè)得表面光電壓值與材料實(shí)際產(chǎn)生表面光電壓值的關(guān)系，通過(guò)實(shí)驗(yàn)，研究了在待測(cè)樣品和導(dǎo)電玻璃間添加無(wú)水乙醇對(duì)材料表面光電壓測(cè)得值的影響。最后我們利用紫外表面光電