MLC型NAND閃存的差錯(cuò)控制編碼技術(shù)研究.pdf

1、MLC型NAND閃存由于低成本、大容量等優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。多級存儲(chǔ)單元(MLC)技術(shù)可用來提高 NAND閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度(容量),然而,隨著 NAND閃存芯片封裝尺寸的縮小,MLC型NAND閃存的可靠性面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),無法滿足未來數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求,而糾錯(cuò)編碼是提高閃速存儲(chǔ)系統(tǒng)可靠性的有效途徑。
　　本文對 MLC型 NAND閃存的差錯(cuò)控制編碼技術(shù)進(jìn)行了研究,針對閃存的數(shù)據(jù)表示和錯(cuò)誤類型,分析并給出了相應(yīng)的解決方案和糾錯(cuò)算法

2、,主要內(nèi)容如下:
　　1.概括了閃存的特性和差錯(cuò)控制基礎(chǔ),介紹了NAND閃存存儲(chǔ)單元的編程、擦除操作和理想的閾值電壓分布,并詳細(xì)分析了閃存信道噪聲模型及其對閾值電壓分布的影響。
　　2.為了降低過度編程的風(fēng)險(xiǎn)和電荷泄露的影響,分析了用置換存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的等級調(diào)制方案,并給出實(shí)現(xiàn)該方案的兩種等級調(diào)制格雷碼和用等級表示置換的計(jì)數(shù)算法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明平衡等級調(diào)制格雷碼的躍變代價(jià)比非平衡等級調(diào)制格雷碼小。
　　3.針對閃存系統(tǒng)級的錯(cuò)誤