表面溫度場的分布對酸制絨多晶硅表面結(jié)構(gòu)的影響.pdf

1、優(yōu)化多晶硅的絨面結(jié)構(gòu)是太陽能電池最關(guān)鍵的技術(shù)之一。目前,主要用HF/HNO3/H2O系的酸腐蝕溶液對多晶硅進行各向同性化學腐蝕,使硅表面密布陷阱坑以達到減反射的絨面,本文主要研究硅片表面溫度場的分布對多晶硅酸腐蝕絨面形貌蝕的影響。
　　本文通過熱傳導方程,根據(jù)不同的邊界條件,計算了多晶硅酸腐蝕反應時不同條件下硅片陷阱坑周圍溫度場的分布。理論計算結(jié)果表明:多晶硅在與酸的腐蝕過程中,如果腐蝕液的溫度過高,則會導致硅片表面和陷阱坑底部的

2、溫度差小,從而使硅片在與酸的反應過程中,使硅片表面的陷阱坑向四周展開,導致陷阱坑的開口大、深度淺;如果溶液的溫度低,則會使硅片表面的溫度與陷阱坑底部的溫度差增大,有利于酸與硅的反應向硅片底部發(fā)展,從而有利于形成開口小、深度大的陷阱坑。進一步的研究發(fā)現(xiàn):腐蝕過程中溫度控制在15℃左右的低溫環(huán)境下,腐蝕坑底部與邊緣間較明顯的溫度差,能使硅片表面形成坑密度大、深度大而且反射率低的陷阱坑。實驗上研究了不同的溫度對酸腐蝕的多晶表面絨面微結(jié)構(gòu)形貌的