基于源極隔離技術(shù)的集成電路敏感面積分析.pdf

1、航天技術(shù)是當(dāng)今世界競(jìng)爭(zhēng)最激烈、發(fā)展最迅速的領(lǐng)域之一，并代表著國(guó)家科技實(shí)力和綜合國(guó)力。隨著航天技術(shù)的飛速發(fā)展，電子設(shè)備在航天器中的應(yīng)用越來(lái)越普遍。因此，處于空間輻射環(huán)境中的電子設(shè)備在輻射作用下，元器件會(huì)發(fā)生單粒子效應(yīng)，以至于電子設(shè)備不能正常工作?？臻g輻射對(duì)半導(dǎo)體材料及器件的影響最為強(qiáng)烈，而且隨著工藝尺寸的縮減，半導(dǎo)體器件對(duì)單粒子效應(yīng)的敏感度增加，新的加固技術(shù)的研究勢(shì)在必行。單粒子效應(yīng)最基本的加固方法就是抑制敏感節(jié)點(diǎn)對(duì)電荷的收集量。PMOS

2、管的電荷收集機(jī)理包括載流子的漂移運(yùn)動(dòng)、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和寄生雙極效應(yīng)。其中PMOS管的寄生雙擊效應(yīng)對(duì)敏感節(jié)點(diǎn)的電荷收集起主要作用。有效的加固技術(shù)可以考慮抑制寄生雙極效應(yīng)，從而減少敏感節(jié)點(diǎn)對(duì)電荷的收集量。有學(xué)者提出了源極隔離加固技術(shù)，源極隔離加固技術(shù)能夠有效抑制寄生雙極效應(yīng)。本文首先將標(biāo)準(zhǔn)單元敏感面積作為評(píng)價(jià)指標(biāo)，分析了源極隔離技術(shù)的加固效果；其次研究了源極隔離技術(shù)的性能開(kāi)銷；然后研究了工藝尺寸縮減對(duì)源極隔離加固效果的影響；最后研究了源極隔離加固

3、技術(shù)在SRAM單元中的應(yīng)用。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴基于180nm體硅雙阱工藝，以標(biāo)準(zhǔn)單元的敏感面積和SET脈沖寬度為評(píng)價(jià)指標(biāo)，研究了源極隔離技術(shù)的加固效果。三維混合模擬結(jié)果顯示，采用源極隔離技術(shù)后，標(biāo)準(zhǔn)單元的敏感面積顯著減小。⑵分別以標(biāo)準(zhǔn)單元的敏感面積和SET脈沖寬度為評(píng)價(jià)指標(biāo)，研究了源極隔離加固效果隨工藝縮減的變化。三維混合模擬結(jié)果表明，當(dāng)工藝尺寸從180nm縮減到65nm時(shí)，源極隔離技術(shù)的加固效果會(huì)逐漸減弱，這主要?dú)w因于