低功耗集成電路設(shè)計(jì)中的多重電力源技術(shù).pdf

1、伴隨著集成電路規(guī)模的增大，和超深亞微米技術(shù)的深入發(fā)展，功耗問題正日益變成VLSI系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的一個(gè)限制因素，對便攜式應(yīng)用來說，其主要原因在于電池壽命，對固定應(yīng)用則在于最高工作溫度。 隨著變攜式移動通信和計(jì)算產(chǎn)品的普及，對電池的需要大大增強(qiáng)，但是電池的技術(shù)相對落后，發(fā)展緩慢，這就需要在低功耗設(shè)計(jì)領(lǐng)域有所發(fā)展。電路的功耗會全部轉(zhuǎn)化為熱能，過多的熱量會產(chǎn)生焦耳熱效應(yīng)，加劇硅失效，導(dǎo)致可靠性下降，而快速散熱的要求又會導(dǎo)致封裝和制冷成本提高。

2、同時(shí)功耗大導(dǎo)致溫度高，載流子速度飽和，IC速度也無法再提升。另外，功耗降低也是環(huán)保期望，散熱也會減少，因而就會減少對環(huán)境的影響。 本文共分為七章，第一章主要是對功耗的分類和低功耗設(shè)計(jì)的介紹，使讀者對功耗的分類、產(chǎn)生原因、計(jì)算方法等有一定的了解，并且對低功耗設(shè)計(jì)有一個(gè)大致的概念；第二章是對多重電力源設(shè)計(jì)中一些專業(yè)術(shù)語和特定概念的介紹，包括一些基本的定義和一些與功耗有關(guān)的器件知識；第三章比較了單一電力源和多重電力源在設(shè)計(jì)流程的異同之

3、處，主要指出了多重電力源技術(shù)額外需要的步驟；第四章接著具體闡述了每一個(gè)步驟的功能作用，著重支出了其中的多重電力源識別設(shè)計(jì)，也即各步驟中多重電力源設(shè)計(jì)的不同規(guī)則和方式；第五章介紹了所選擇的數(shù)據(jù)，同時(shí)也指出了用于多重電力源設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)必須具備的條件；第六章是設(shè)計(jì)中的基本思路，也即采用三種不同的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行結(jié)果比較：單一電力源設(shè)計(jì)、不進(jìn)行動態(tài)管理的多重電力源設(shè)計(jì)和進(jìn)行動態(tài)管理的多重電力源設(shè)計(jì)；第七章設(shè)計(jì)完成的電路中的功耗、時(shí)序、時(shí)鐘樹偏斜、芯片