已閱讀1頁(yè),還剩45頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天的階段,材料分析技術(shù)已成為任何一個(gè)先進(jìn)的IC代工廠中不可或缺的研究、分析工具。尤其是當(dāng)制程逐步向深亞微米發(fā)展,沉積的薄膜越來越薄,影響器件性能的Defect越來越小時(shí),對(duì)于分析工具解析度的要求也越來越高。SEM,TEM,F(xiàn)IB高解析度、高精確度的優(yōu)點(diǎn),使得其在IC工藝監(jiān)控、失效分析等方面的應(yīng)用愈發(fā)普遍和重要。
近年來國(guó)內(nèi)外在半導(dǎo)體元器件失效分析領(lǐng)域采用了一些新的分析技術(shù)和手段,如:光學(xué)顯微鏡,掃描電子顯微
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- ISSG在集成電路中的應(yīng)用.pdf
- 精確定位技術(shù)在集成電路失效分析中的應(yīng)用研究.pdf
- 測(cè)量系統(tǒng)分析在集成電路測(cè)試中的應(yīng)用.pdf
- 集成電路工藝總結(jié)
- 集成電路工藝實(shí)驗(yàn)
- SBL技術(shù)在集成電路封裝測(cè)試過程中的應(yīng)用.pdf
- 集成電路項(xiàng)目應(yīng)用
- 橢偏儀在集成電路檢測(cè)中的應(yīng)用.pdf
- FTFN在模擬集成電路中的應(yīng)用研究.pdf
- 集成電路制造工藝教案
- 聚焦離子束在集成電路失效分析中的應(yīng)用和實(shí)例分析.pdf
- 三維RCWA方法及其在集成電路中的應(yīng)用.pdf
- 集成電路工藝個(gè)人總結(jié)
- 深亞微米集成電路制造中的失效分析應(yīng)用.pdf
- 集成電路工藝偏差的片上檢測(cè)與應(yīng)用.pdf
- x射線透視技術(shù)在混合集成電路中的應(yīng)用
- 復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)理論在集成電路分析與測(cè)試中的應(yīng)用研究.pdf
- 虛擬儀器技術(shù)在厚膜混合集成電路測(cè)試中應(yīng)用.pdf
- 硅集成電路工藝基礎(chǔ)重點(diǎn)
- 集成電路中電源的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論