2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩48頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、硅襯底平坦度在半導(dǎo)體制程中產(chǎn)生的缺陷硅襯底平坦度在半導(dǎo)體制程中產(chǎn)生的缺陷研究研究ResearchofSiSubstrateWarpageDefectinSemiconductProcessing學(xué)科專業(yè):集成電路工程研究生:黃永蓮指導(dǎo)教師:毛陸虹教授企業(yè)導(dǎo)師:陳育浩高級(jí)工程師天津大學(xué)電子信息工程學(xué)院二零一五年十二月I摘要近二十年來,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展、不斷提高,集成電路制造已經(jīng)成為中國的第一大電子信息產(chǎn)業(yè)。最近幾年隨著國家的大力支

2、持,半導(dǎo)體技術(shù)制造業(yè)在中國已經(jīng)形成了穩(wěn)定的階段,晶圓尺寸由6英寸發(fā)展到8英寸直到現(xiàn)在的12英寸。由于襯底的不斷加大,在一些集成電路制造的高溫工藝(諸如氧化、擴(kuò)散等)中,硅片的彎曲現(xiàn)象會(huì)比較嚴(yán)重,翹曲度(也稱平坦度)較差,導(dǎo)致在進(jìn)行光刻等工藝步驟時(shí)很難對準(zhǔn),在生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)中極容易產(chǎn)生失焦缺陷,從而造成硅片的電性參數(shù)以及器件的成品率和性能受到很大的影響。在硅襯底生產(chǎn)時(shí)避免不了微量的形變彎曲,這些形變彎曲會(huì)在進(jìn)行高溫?zé)崽幚砘蛘邔ζ溥M(jìn)行升、降溫處理

3、以及其他機(jī)械應(yīng)力等后續(xù)的集成電路加工過程中更加嚴(yán)重,可能會(huì)加劇形變彎曲程度。本文對硅襯底的翹曲度缺陷在集成電路制造中的影響進(jìn)行了研究,給出了翹曲度異常的描述,闡述了硅片形變彎曲是如何形成的,進(jìn)行了相關(guān)試驗(yàn)并對試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析。從硅襯底線切割的過程控制入手,分析了如何避免翹曲度的異常,總結(jié)了硅襯底翹曲度的形成和改善的方法,提出了改善晶圓平坦度異常的工藝優(yōu)化措施。針對研究成果做深入的討論,并提出有待于進(jìn)一步研究的方向。這對于提高硅襯底的質(zhì)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論