半導(dǎo)體制程中金屬鎢插塞腐蝕問題的研究.pdf

1、在半導(dǎo)體的工藝制程中，半導(dǎo)體器件的柵極特征尺寸以摩爾定律成比例的縮小，所以隨著晶體管的尺寸不斷減小，單位面積上的晶體管的數(shù)量越來越多，而影響晶體管近一步減小的因素不僅僅是柵極的尺寸，后段的金屬互連工藝反而處在一個(gè)更重要的地位。在半導(dǎo)體后段金屬互連中，會(huì)發(fā)生鋁導(dǎo)線沒有完全覆蓋插塞，有一部分的金屬鎢裸露在外面，在鋁導(dǎo)線蝕刻的時(shí)候由于使用的是離子轟擊的干蝕刻法以及氧離子灰化，會(huì)聚集大量的正電荷。而在鋁蝕刻后的有有機(jī)物清洗中，發(fā)生了電腐蝕現(xiàn)象。

2、這樣就會(huì)造成整個(gè)電路的短路，在芯片測(cè)試中就會(huì)發(fā)生失效。
　　 本文重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體芯片后段制造的工藝流程，包括具體介紹半導(dǎo)體金屬互連的各個(gè)制程步驟。分析得出造成插塞中鎢腐蝕并不是某一單獨(dú)步驟所造成的問題，而是一個(gè)整合問題。重點(diǎn)是在導(dǎo)線蝕刻的步驟，在特定的結(jié)構(gòu)下，聚集了大量的正離子，造成了裸露的插塞中的金屬鎢處在一個(gè)高電勢(shì)狀態(tài)，而隨后的有機(jī)物清洗溶液中，就造成了金屬鎢的腐蝕。
　　 本文詳細(xì)分析發(fā)生電腐蝕的原理，并針對(duì)電腐