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
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文檔簡介
1、Li-N-H系儲氫材料具有儲氫量大、質(zhì)量輕、價格低以及資源豐富等優(yōu)點,該系儲氫材料吸引了許多研究者的興趣。然而,較高的釋氫溫度以及相對較慢的吸放氫動力學(xué)等缺點限制了Li-N-H系儲氫材料的實際應(yīng)用。本文采用密度泛函理論的第一性原理的贗勢平面波的方法,研究了LiNH2缺陷及其摻雜原子交互作用對其釋氫影響。明確缺陷Li-N-H系儲氫材料的反應(yīng)機理,對于提高儲氫材料的性能,研制釋氫溫度較低的儲氫材料提供理論基礎(chǔ),對Li-N-H系儲氫材料的設(shè)計
2、和優(yōu)化具有重要意義。
研究發(fā)現(xiàn):系統(tǒng)結(jié)合能不能反映LiNH2缺陷及其摻雜合金的釋氫性質(zhì)。在含間隙氫的LiNH2缺陷中,系統(tǒng)平衡時,LiNH2中有一定的間隙氫原子存在,Mg、Ti摻雜使形成能大大降低,大大增大了間隙氫的濃度。間隙H原子在帶隙引入了缺陷能級使帶隙大大減小,提高釋氫能力。間隙H原子導(dǎo)致[NH2]-中N-H原子間相互作用減弱,容易釋氫。間隙H與[NH2]-中N存在共價作用,可以解釋LiNH2釋氫反應(yīng)中NH3的放出。
3、當(dāng)存在摻雜時,N-H鍵的鍵強不均衡,部分較弱,部分較強,較弱的N-H鍵中H容易放出。
在含空位缺陷和弗倫克爾缺陷的LiNH2中,形成能結(jié)果表明在LiNH2中弗倫克爾缺陷比空位容易形成。Mg、Ti摻雜使形成能大大降低,可見Mg、Ti摻雜大大增大了缺陷形成的可能性。Mg摻雜后體系比未摻雜形成弗倫克爾缺陷較難,間隙氫的濃度也有所降低。Ti摻雜后弗倫克爾缺陷比未摻雜更容易形成,間隙氫的濃度也大大增加??瘴皇菇彽獨湓拥碾娮犹幱谳^
4、高的能態(tài),導(dǎo)致N-H鍵容易斷開,從而使氫容易放出。Mg、Ti摻雜使含空位的LiNH2帶隙明顯變窄,提高了釋氫能力??瘴辉趽诫sLiNH2中的作用與純LiNH2中相同。弗倫克爾缺陷周圍影響最小,因此它應(yīng)該最容易產(chǎn)生。Mg、Ti摻雜使含弗倫克爾缺陷的LiMgNH2和LiTiNH2的帶隙明顯變窄,提高了LiNH2的釋氫性能。弗倫克爾缺陷使LiMgNH2和LiTiNH2最低能級發(fā)生分裂,即使電子占據(jù)較高能帶,對釋氫有利。空位的存在使其近鄰的H容易
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