燒結(jié)NdFeB表面微弧氧化陶瓷-環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合涂層的顯微結(jié)構(gòu)及耐蝕性研究.pdf

1、為改善燒結(jié) NdFeB永磁體的耐蝕性能，本文采用微弧氧化技術(shù)在燒結(jié)NdFeB永磁體表面制備陶瓷膜層，將微弧氧化技術(shù)與電泳涂裝技術(shù)相結(jié)合，在磁體表面制備復(fù)合膜層，采用SEM、EDS、XRD等方法研究了陶瓷膜和復(fù)合膜層的微觀組織結(jié)構(gòu)，并分析了不同電參數(shù)下陶瓷膜和復(fù)合膜層對(duì)改善磁體耐蝕性的影響。
　　研究表明，在鋁酸鹽體系下制備的陶瓷膜由γ-Al2O3組成，膜層厚度隨處理電壓和處理時(shí)間的增加而增厚，隨頻率的升高而減少；硅酸鹽體系下制備的

2、陶瓷膜可能由非晶相的SiO2組成，膜層厚度隨處理電壓的升高而增加。兩種體系下，當(dāng)電解液濃度固定時(shí)，處理電壓對(duì)陶瓷層的表面形貌和粗糙度影響較大，鋁酸鹽體系下，粗糙度隨處理電壓的升高先降后增，隨處理時(shí)間的延長(zhǎng)先增后降，硅酸鹽體系下，粗糙度隨處理電壓的升高先增后降；鋁酸鹽體系下的陶瓷膜層厚度、粗糙度、孔徑均低于硅酸鹽體系中的陶瓷膜層。
　　燒結(jié) NdFeB永磁體在鋁酸鹽體系和硅酸鹽體系下的陶瓷層腐蝕電流密度分別為2.17×10-6 A/

3、cm2和2.15×10-6 A/cm2，腐蝕電位分別為-0.833V和-0.932V，腐蝕電流密度較基體均降低一個(gè)數(shù)量級(jí)，鋁酸鹽體系下的陶瓷膜耐蝕性優(yōu)于硅酸鹽體系下的陶瓷膜。
　　兩種體系下經(jīng)過(guò)電泳涂裝處理后，有機(jī)膜層和復(fù)合膜層的厚度隨電參數(shù)的變化呈現(xiàn)出規(guī)律性變動(dòng)，隨著微弧氧化電壓的升高，有機(jī)膜層和復(fù)合膜層的厚度均減?。浑S著微弧氧化處理時(shí)間的延長(zhǎng)，厚度均減?。辉龃箅娪倦妷?，有機(jī)膜層和復(fù)合膜層的厚度增加。
　　硅酸鹽體系下的復(fù)

4、合膜層，腐蝕電位變化不大，但較基體的腐蝕電位提高約0.4V，腐蝕電流密度相對(duì)基體的腐蝕電流密度降低三到四個(gè)數(shù)量級(jí)；隨著微弧氧化電壓的升高，腐蝕電流密度呈現(xiàn)波動(dòng)，微弧氧化電壓為380V的復(fù)合膜層試樣腐蝕電流密度最低，為4.49×10-9 A/cm2。
　　鹽霧試驗(yàn)結(jié)果顯示，復(fù)合膜層顯著提高磁體的耐蝕性能，鋁酸鹽體系下的復(fù)合膜層耐蝕性能優(yōu)于硅酸鹽體系下的復(fù)合膜層。鋁酸鹽體系下，微弧氧化電壓420V、處理時(shí)間60~90min、頻率100