衛(wèi)星用典型SRAM存儲(chǔ)器空間輻射效應(yīng)及模擬試驗(yàn)方法研究.pdf_第1頁(yè)
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1、SRAM存儲(chǔ)器是衛(wèi)星電子系統(tǒng)的核心部件,開(kāi)展SRAM存儲(chǔ)器的空間輻射效應(yīng)研究及抗輻射性能評(píng)估對(duì)于保證衛(wèi)星在軌可靠運(yùn)行具有重要意義。而國(guó)內(nèi)現(xiàn)有方法一般只能對(duì)SRAM存儲(chǔ)器的抗輻射性能作出定性判斷,較難單獨(dú)研究SRAM存儲(chǔ)器的空間輻射效應(yīng)規(guī)律,并且存在效應(yīng)測(cè)量方法不統(tǒng)一、失效評(píng)判依據(jù)各異等問(wèn)題,較難滿足SRAM存儲(chǔ)器的抗輻射性能評(píng)估對(duì)試驗(yàn)方法的需求。
　　本文通過(guò)測(cè)量60Coγ射線輻照和輻照后加速退火條件下SRAM存儲(chǔ)器典型直流參數(shù)、

2、交流參數(shù)及功能參數(shù)變化情況,研究了SRAM存儲(chǔ)器的電離總劑量效應(yīng)規(guī)律,選取了存儲(chǔ)數(shù)據(jù)邏輯狀態(tài)出錯(cuò)(WW≠O)、電源電流作為SRAM存儲(chǔ)器的電離總劑量效應(yīng)敏感參數(shù);以重離子加速器為輻射源,測(cè)量了不同LET的重離子輻照下體硅和SOI工藝SRAM存儲(chǔ)器的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng),得到了器件的σ-LET曲線,并預(yù)估了兩種軌道下器件的空間單粒子翻轉(zhuǎn)率。在以上研究基礎(chǔ)上,建立了SRAM存儲(chǔ)器的空間輻射效應(yīng)模擬試驗(yàn)方法。
　　研究結(jié)果已經(jīng)應(yīng)用到八院院標(biāo)《

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