電漿在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展.pdf

1、電漿科技己廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究及工業(yè)制造，成為現(xiàn)代科技的重要指標(biāo)。本文將分析國(guó)內(nèi)外在電漿源方面的研發(fā)與應(yīng)用，其中包括電感式電漿源，微波表面波電漿源，大氣電漿源，電漿浸沒(méi)離子布植及電漿火炬等等。電漿源的產(chǎn)生機(jī)理包含直流放電到微波放電；低氣壓電漿到大氣電漿：低溫電漿到高溫電漿。本文將研究數(shù)種電漿源，包含直流放電到微波放電;低氣壓電漿到大氣電漿；低溫電漿到高溫電漿，目前產(chǎn)生電漿的方法以使用的功率源而言有直流放電(DCdischarge)，低頻及

2、中頻放電(數(shù)KHz到數(shù)MHz)，射頻放電(13.6MHz)，及微波放電(2.45GHz)。
　　 電漿在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用主要研究了大規(guī)模集成電路制造中，電漿對(duì)刻蝕工藝的重要意義。集成電路制造技術(shù)中用于刻蝕關(guān)鍵層最主要的刻蝕方法是單片處理的高密度電漿刻蝕技術(shù)，(ICP)的刻蝕技術(shù)，研究以SF6為刻蝕氣體，不同的電極功率、氣體流量、反應(yīng)室壓強(qiáng)、反應(yīng)室溫度、樣片開(kāi)槽寬度等工藝參數(shù)對(duì)Si和SiO2的刻蝕速率和選擇比的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，

3、提高RF1功率和SF6流量，可以提高刻蝕速率和選擇比，提高RF2功率雖能提高刻蝕速率但降低選擇比，反應(yīng)室壓強(qiáng)上升到1.2Pa時(shí)，刻蝕速率達(dá)最大值，刻蝕溫度為零度時(shí)，Si的刻蝕速率最大，開(kāi)槽寬度對(duì)刻蝕速率影響不大。
　　 電漿低溫刻蝕是一種針對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)。本文在低溫刻蝕單晶硅樣品時(shí)得到典型的刻蝕結(jié)果為：各向異性值＞0199，硅刻蝕速率＞115μm／min，對(duì)SiO2刻蝕選擇比＞75，說(shuō)明該刻蝕方法很具競(jìng)爭(zhēng)力。通過(guò)對(duì)