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文檔簡介
1、SnO2是一種寬帶隙n型半導體材料，室溫下能隙寬度為3.67eV，有良好的化學穩(wěn)定性、光學各向異性等特點。SnO2薄膜由于具有對可見光透光性好、紫外吸收系數(shù)大、電阻率低、化學性能穩(wěn)定以及室溫下抗酸堿能力強等優(yōu)點，已被廣泛地應用在太陽能電池、液晶顯示、防靜電涂層、電熱材料、透明電極材料以及氣敏材料等方面。SnO2作為一種廣譜氣敏材料，可以用來檢測各種有毒、有害及各種可燃性氣體，具有非常廣闊的應用前景。 本課題在綜述了各種制備SnO
2、2薄膜的工藝方法基礎上，根據(jù)實驗條件采用化學反應射頻磁控濺射方法制備了二氧化錫薄膜，并對制得的薄膜利用原子力顯微鏡、X射線衍射等手段進行了表征，實驗結果表明，SnO2薄膜晶體擇優(yōu)取向為(110)和(211)方向，SnO2薄膜為四方金紅石結構。熱處理工藝對薄膜的性能有很大的影響，分析在150℃、200℃、250℃、300℃、350℃、400℃空氣中熱處理，不同退火溫度的影響，通過AFM的形貌觀察發(fā)現(xiàn)薄膜的質(zhì)量結晶良好，并且觀測到晶粒尺寸隨
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