嵌入在FPGA中的SRAM設(shè)計(jì).pdf

1、隨著微電子技術(shù)的迅速發(fā)展，以及超大規(guī)模集成電路時(shí)代的到來，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)作為一個(gè)內(nèi)嵌的宏單元出現(xiàn)在可編程邏輯門陣列(FPGA)或者微處理器中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。 本文主要通過對SRAM的設(shè)計(jì)技術(shù)進(jìn)行研究，設(shè)計(jì)出了一款嵌入在FPGA中，作為存儲配置和回讀信息的數(shù)據(jù)位寬可調(diào)的4K同步雙端口SRAM。雙端口SR-AM，它采用兩套獨(dú)立的地址、數(shù)據(jù)和控制總線，同時(shí)允許兩個(gè)獨(dú)立的實(shí)體(如兩個(gè)處理器)對其進(jìn)行存取，與單端口的存

2、儲器相比，雙端口存儲器的存取效率提高一倍。 本文首先介紹了這款FPGA的主要模塊分布，以及一些性能參數(shù)。其次，在分析了SRAM的基本結(jié)構(gòu)，并在比較了一系列SRAM結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)出了嵌入在FPGA中的4K同步雙端口SRAM的結(jié)構(gòu)。文章中的設(shè)計(jì)基于整個(gè)FPGA芯片的工作環(huán)境要求，完成了SRAM中的存儲單元，靈敏放大器，譯碼電路的組成結(jié)構(gòu)。最后，芯片的設(shè)計(jì)在使用0.22μm工藝的基礎(chǔ)上，利用大量的Hspice，NC-Verilo